NE3512S02-A

NE3512S02-A
Mfr. #:
NE3512S02-A
Fabricante:
CEL
Descripción:
RF JFET Transistors C to Ku Band Super Low Noise Amp N-Ch
Ciclo vital:
Nuevo de este fabricante.
Ficha de datos:
NE3512S02-A Ficha de datos
Entrega:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Pago:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
Atributo del producto
Valor de atributo
Fabricante
CEL
categoria de producto
Transistores - FET, MOSFET - Sencillo
Estilo de montaje
SMD / SMT
Paquete-Estuche
S0-2
Tecnología
GaAs
Tipo transistor
HFET
Ganar
13.5 dB
Disipación de potencia Pd
165 mW
Temperatura máxima de funcionamiento
+ 125 C
Frecuencia de operación
12 GHz
Id-corriente-de-drenaje-continua
70 mA
Vds-Drain-Source-Breakdown-Voltage
4 V
Polaridad del transistor
Canal N
Transconductancia directa-Mín.
55 mS
Vgs-Gate-Source-Breakdown-Voltage
- 3 V
Tensión de corte de fuente de puerta
4 V
Figura de ruido NF
0.35 dB
Tags
NE3512, NE351, NE35, NE3
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Step1: Vacuum Packaging with PL
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Vacuum Packaging with PL
Step2: Anti-Static Bag
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Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
***et
Trans JFET N-CH 4V 70mA 4-Pin Micro-X
***i-Key
HJ-FET NCH 13.5DB S02
Parte # Mfg. Descripción Valores Precio
NE3512S02-A
DISTI # NE3512S02-A-ND
California Eastern Laboratories (CEL)HJ-FET NCH 13.5DB S02
RoHS: Compliant
Min Qty: 90
Container: Bulk
Limited Supply - Call
    NE3512S02-A
    DISTI # 551-NE3512S02-A
    California Eastern Laboratories (CEL)RF JFET Transistors C to Ku Band Super Low Noise Amp N-Ch
    RoHS: Compliant
    0
      Imagen Parte # Descripción
      NE3512S02-A

      Mfr.#: NE3512S02-A

      OMO.#: OMO-NE3512S02-A

      RF JFET Transistors C to Ku Band Super Low Noise Amp N-Ch
      NE3514S02-T1C-A

      Mfr.#: NE3514S02-T1C-A

      OMO.#: OMO-NE3514S02-T1C-A-CEL

      RF JFET Transistors SUPER Lo Noise PseudomorpHIc HJ FET
      NE3515S02-T1C-A

      Mfr.#: NE3515S02-T1C-A

      OMO.#: OMO-NE3515S02-T1C-A-CEL

      RF JFET Transistors Super Low Noise Pseudomorphic
      NE3512S02-T1C-A

      Mfr.#: NE3512S02-T1C-A

      OMO.#: OMO-NE3512S02-T1C-A-CEL

      RF JFET Transistors SUPER Lo Noise PseudomorpHIc HJ FET
      NE3512S02-T1D-AJT

      Mfr.#: NE3512S02-T1D-AJT

      OMO.#: OMO-NE3512S02-T1D-AJT-1190

      Nuevo y original
      NE3512S02-T1

      Mfr.#: NE3512S02-T1

      OMO.#: OMO-NE3512S02-T1-1190

      Nuevo y original
      NE3512S02-T1D

      Mfr.#: NE3512S02-T1D

      OMO.#: OMO-NE3512S02-T1D-1190

      Nuevo y original
      NE3513M04

      Mfr.#: NE3513M04

      OMO.#: OMO-NE3513M04-1190

      Nuevo y original
      NE3513M04-T2B-A

      Mfr.#: NE3513M04-T2B-A

      OMO.#: OMO-NE3513M04-T2B-A-CEL

      FET RF 4V 12GHZ M04 4SMD
      NE3517S03

      Mfr.#: NE3517S03

      OMO.#: OMO-NE3517S03-1190

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      Available
      En orden:
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      1
      0,68 US$
      0,68 US$
      10
      0,64 US$
      6,43 US$
      100
      0,61 US$
      60,89 US$
      500
      0,58 US$
      287,50 US$
      1000
      0,54 US$
      541,20 US$
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