NE3515S02-A

NE3515S02-A
Mfr. #:
NE3515S02-A
Fabricante:
CEL
Descripción:
RF JFET Transistors X to Ku-BAND SUPER LOW NOISE AMP N-CH
Ciclo vital:
Nuevo de este fabricante.
Ficha de datos:
NE3515S02-A Ficha de datos
Entrega:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Pago:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
HTML Datasheet:
NE3515S02-A DatasheetNE3515S02-A Datasheet (P4-P6)NE3515S02-A Datasheet (P7-P9)
ECAD Model:
Atributo del producto
Valor de atributo
Fabricante:
CEL
Categoria de producto:
Transistores RF JFET
RoHS:
Y
Tipo de transistor:
pHEMT
Tecnología:
GaAs
Ganar:
12.5 dB
Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:
4 V
Vgs - Voltaje de ruptura de puerta-fuente:
- 3 V
Id - Corriente de drenaje continua:
88 mA
Temperatura máxima de funcionamiento:
+ 125 C
Pd - Disipación de energía:
165 mW
Estilo de montaje:
SMD / SMT
Paquete / Caja:
S0-2
Embalaje:
Cortar cinta
Frecuencia de operación:
12 GHz
Producto:
RF JFET
Escribe:
GaAs pHEMT
Marca:
CEL
Transconductancia directa - Mín .:
70 mS
NF - Figura de ruido:
0.3 dB
P1dB - Punto de compresión:
14 dBm
Tipo de producto:
Transistores RF JFET
Cantidad de paquete de fábrica:
1
Subcategoría:
Transistores
Tags
NE3515, NE351, NE35, NE3
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Step1: Vacuum Packaging with PL
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Vacuum Packaging with PL
Step2: Anti-Static Bag
Step2:
Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
***ical
Trans FET N-CH 4V 88mA 4-Pin Case S-02
***et
Trans JFET N-CH 4V 88mA 4-Pin Micro-X
***i-Key
FET RF HFET 12GHZ 2V 10MA S02
Parte # Mfg. Descripción Valores Precio
NE3515S02-A
DISTI # NE3515S02-A-ND
California Eastern Laboratories (CEL)FET RF HFET 12GHZ 2V 10MA S02
RoHS: Compliant
Min Qty: 70
Container: Bulk
Limited Supply - Call
    NE3515S02-A
    DISTI # 551-NE3515S02-A
    California Eastern Laboratories (CEL)RF JFET Transistors X to Ku-BAND SUPER LOW NOISE AMP N-CH
    RoHS: Compliant
    0
      Imagen Parte # Descripción
      NE3510M04-A

      Mfr.#: NE3510M04-A

      OMO.#: OMO-NE3510M04-A

      RF JFET Transistors L-S Band Lo No Amp
      NE3511S02A

      Mfr.#: NE3511S02A

      OMO.#: OMO-NE3511S02A-1190

      Trans JFET N-CH 4V 70mA 4-Pin Micro-X (Alt: NE3511S02A)
      NE3512S02-T1D-A

      Mfr.#: NE3512S02-T1D-A

      OMO.#: OMO-NE3512S02-T1D-A-318

      RF JFET Transistors SUPER Lo Noise PseudomorpHIc HJ FET
      NE3511S02-A

      Mfr.#: NE3511S02-A

      OMO.#: OMO-NE3511S02-A-CEL

      RF JFET Transistors X to Ku Band Super Low Noise Amp N-Ch
      NE3512S02-T1C

      Mfr.#: NE3512S02-T1C

      OMO.#: OMO-NE3512S02-T1C-1190

      Nuevo y original
      NE3513M04

      Mfr.#: NE3513M04

      OMO.#: OMO-NE3513M04-1190

      Nuevo y original
      NE3514S02-T10

      Mfr.#: NE3514S02-T10

      OMO.#: OMO-NE3514S02-T10-1190

      Nuevo y original
      NE3514S02-T1D

      Mfr.#: NE3514S02-T1D

      OMO.#: OMO-NE3514S02-T1D-1190

      Nuevo y original
      NE3517S03-T1C

      Mfr.#: NE3517S03-T1C

      OMO.#: OMO-NE3517S03-T1C-1190

      Nuevo y original
      NE3517S03-T1C-A

      Mfr.#: NE3517S03-T1C-A

      OMO.#: OMO-NE3517S03-T1C-A-CEL

      Trans JFET N-CH 4V 70mA GaAs HJFET 4-Pin Case S-03 T/R
      Disponibilidad
      Valores:
      Available
      En orden:
      2500
      Ingrese la cantidad:
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