GS66516T-E02-MR

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Sistemas de GaN

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

GaN

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

GaNPX-4

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

650 V

Id - Corriente de drenaje continua:

60 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

25 mOhms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

1.3 V

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

7 V

Qg - Carga de puerta:

12 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Configuración:

Único

Modo de canal:

Mejora

Embalaje:

Carrete

Altura:

0.54 mm

Longitud:

9 mm

Producto:

MOSFET

Serie:

GS66516x

Tipo de transistor:

1 N-Channel

Ancho:

7.6 mm

Marca:

Sistemas de GaN

Sensible a la humedad:

Yes

Tipo de producto:

MOSFET

Cantidad de paquete de fábrica:

250

Subcategoría:

MOSFET

Parte # Alias:

GS66516T-E02-MR

Tags

GS665, GS66, GS6