IPL60R1K5C6SATMA1

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Infineon

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

ThinPAK-56-8

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

600 V

Id - Corriente de drenaje continua:

3 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

1.5 Ohms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

3 V

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

30 V

Qg - Carga de puerta:

9.4 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 40 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

26.6 W

Configuración:

Único

Nombre comercial:

CoolMOS

Embalaje:

Carrete

Altura:

1.1 mm

Longitud:

6 mm

Serie:

CoolMOS C6

Tipo de transistor:

1 N-Channel

Ancho:

5 mm

Marca:

Infineon Technologies

Otoño:

20 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

7 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

5000

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

40 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

8 ns

Parte # Alias:

IPL60R1K5C6S SP001163010

Unidad de peso:

0.002681 oz

Tags

IPL60R1, IPL60, IPL6, IPL