IPL65R1K0C6SATMA1

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Infineon

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

ThinPAK-56-8

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

650 V

Id - Corriente de drenaje continua:

4.2 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

1 Ohms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

3 V

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

30 V

Qg - Carga de puerta:

15 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 40 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

34.7 W

Configuración:

Único

Nombre comercial:

CoolMOS

Embalaje:

Carrete

Altura:

1.1 mm

Longitud:

6 mm

Serie:

CoolMOS C6

Tipo de transistor:

1 N-Channel

Ancho:

5 mm

Marca:

Infineon Technologies

Otoño:

13.6 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

5.2 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

5000

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

41 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

6.6 ns

Parte # Alias:

IPL65R1K0C6S SP001163084

Unidad de peso:

0.002677 oz

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