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SI6973DQ-T1-E3

SI6973DQ-T1-E3
Mfr. #:
SI6973DQ-T1-E3
Fabricante:
Vishay
Descripción:
RF Bipolar Transistors MOSFET 20V 4.8A 4.8W
Ciclo vital:
Nuevo de este fabricante.
Ficha de datos:
SI6973DQ-T1-E3 Ficha de datos
Entrega:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Pago:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
Atributo del producto
Valor de atributo
Fabricante
Vishay Siliconix
categoria de producto
FET: matrices
Serie
TrincheraFETR
embalaje
Tape & Reel (TR)
Alias ​​de parte
SI6973DQ-E3
Unidad de peso
0.005573 oz
Estilo de montaje
SMD / SMT
Nombre comercial
TrenchFET
Paquete-Estuche
8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Tecnología
Si
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Montaje superficial
Número de canales
2 Channel
Paquete de dispositivo de proveedor
8-TSSOP
Configuración
Doble
Tipo FET
2 P-Channel (Dual)
Potencia máxima
830mW
Tipo transistor
2 P-Channel
Drenaje-a-fuente-voltaje-Vdss
20V
Entrada-Capacitancia-Ciss-Vds
-
Función FET
Puerta de nivel lógico
Corriente-Continuo-Drenaje-Id-25 ° C
4.1A
Rds-On-Max-Id-Vgs
30 mOhm @ 4.8A, 4.5V
Vgs-th-Max-Id
450mV @ 250μA (Min)
Puerta-Carga-Qg-Vgs
30nC @ 4.5V
Disipación de potencia Pd
830 mW
Temperatura máxima de funcionamiento
+ 150 C
Temperatura mínima de funcionamiento
- 55 C
Otoño
27 ns
Hora de levantarse
27 ns
Vgs-Puerta-Fuente-Voltaje
8 V
Id-corriente-de-drenaje-continua
4.1 A
Vds-Drain-Source-Breakdown-Voltage
- 20 V
Resistencia a la fuente de desagüe de Rds
30 mOhms
Polaridad del transistor
P-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico
93 ns
Tiempo de retardo de encendido típico
27 ns
Modo de canal
Mejora
Tags
SI6973DQ-T, SI6973D, SI6973, SI697, SI69, SI6
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Step1: Vacuum Packaging with PL
Step1:
Vacuum Packaging with PL
Step2: Anti-Static Bag
Step2:
Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
***i-Key
MOSFET 2P-CH 20V 4.1A 8TSSOP
***
DUAL P-CH 1.8V (G-S) MOSFET
***ser
Dual MOSFETs 20V 4.8A 4.8W
***ark
MOSFET; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:Dual P Channel; Drain Source Voltage, Vds:-20V; Continuous Drain Current, Id:-4.1A; On Resistance, Rds(on):0.03ohm; Rds(on) Test Voltage, Vgs:-4.5V; Package/Case:8-TSSOP ;RoHS Compliant: Yes
Parte # Mfg. Descripción Valores Precio
SI6973DQ-T1-E3
DISTI # SI6973DQ-T1-E3-ND		Vishay SiliconixMOSFET 2P-CH 20V 4.1A 8TSSOP
RoHS: Compliant
Min Qty: 3000
Container: Tape & Reel (TR)		Limited Supply - Call
    SI6973DQ-T1-E3
    DISTI # 781-SI6973DQ-E3    		Vishay IntertechnologiesMOSFET 20V 4.8A 4.8W
    RoHS: Compliant    		0
      SI6973DQ-T1
      DISTI # 781-SI6973DQ      		Vishay IntertechnologiesMOSFET 20V 4.8A 4.8W
      RoHS: Not compliant      		0
        Imagen Parte # Descripción
        SI6973DQ-T1-E3

        Mfr.#: SI6973DQ-T1-E3

        OMO.#: OMO-SI6973DQ-T1-E3

        		 MOSFET RECOMMENDED ALT 781-SI6913DQ-GE3
        SI6973DQ-T1-E3

        Mfr.#: SI6973DQ-T1-E3

        OMO.#: OMO-SI6973DQ-T1-E3-VISHAY

        		 RF Bipolar Transistors MOSFET 20V 4.8A 4.8W
        SI6973DQ-T1-GE3

        Mfr.#: SI6973DQ-T1-GE3

        OMO.#: OMO-SI6973DQ-T1-GE3-VISHAY

        		 MOSFET 2P-CH 20V 4.1A 8TSSOP
        SI6973DQ

        Mfr.#: SI6973DQ

        OMO.#: OMO-SI6973DQ-1190

        		 Nuevo y original
        SI6973DQ-T1

        Mfr.#: SI6973DQ-T1

        OMO.#: OMO-SI6973DQ-T1-1190

        		 MOSFET RECOMMENDED ALT 781-SI6913DQ-GE3
        Disponibilidad
        Valores:
        Available
        En orden:
        2500
        Ingrese la cantidad:
        El precio actual de SI6973DQ-T1-E3 es solo de referencia, si desea obtener el mejor precio, envíe una consulta o envíe un correo electrónico directo a nuestro equipo de ventas [email protected]
        Precio de referencia (USD)
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        Ext. Precio
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        0,00 US$
        10
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        0,00 US$
        100
        0,00 US$
        0,00 US$
        500
        0,00 US$
        0,00 US$
        1000
        0,00 US$
        0,00 US$
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