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SI6973DQ-T1-GE3

SI6973DQ-T1-GE3
Mfr. #:
SI6973DQ-T1-GE3
Fabricante:
Vishay
Descripción:
MOSFET 2P-CH 20V 4.1A 8TSSOP
Ciclo vital:
Nuevo de este fabricante.
Ficha de datos:
SI6973DQ-T1-GE3 Ficha de datos
Entrega:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Pago:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
Atributo del producto
Valor de atributo
Fabricante
Vishay Siliconix
categoria de producto
FET: matrices
Serie
TrincheraFETR
embalaje
Tape & Reel (TR)
Alias ​​de parte
SI6973DQ-GE3
Unidad de peso
0.005573 oz
Estilo de montaje
SMD / SMT
Paquete-Estuche
8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Tecnología
Si
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Montaje superficial
Número de canales
2 Channel
Paquete de dispositivo de proveedor
8-TSSOP
Configuración
Doble
Tipo FET
2 P-Channel (Dual)
Potencia máxima
830mW
Tipo transistor
2 P-Channel
Drenaje-a-fuente-voltaje-Vdss
20V
Entrada-Capacitancia-Ciss-Vds
-
Función FET
Puerta de nivel lógico
Corriente-Continuo-Drenaje-Id-25 ° C
4.1A
Rds-On-Max-Id-Vgs
30 mOhm @ 4.8A, 4.5V
Vgs-th-Max-Id
450mV @ 250μA (Min)
Puerta-Carga-Qg-Vgs
30nC @ 4.5V
Disipación de potencia Pd
830 mW
Temperatura máxima de funcionamiento
+ 150 C
Temperatura mínima de funcionamiento
- 55 C
Vgs-Puerta-Fuente-Voltaje
8 V
Id-corriente-de-drenaje-continua
4.1 A
Vds-Drain-Source-Breakdown-Voltage
- 20 V
Resistencia a la fuente de desagüe de Rds
30 mOhms
Polaridad del transistor
P-Channel
Tags
SI6973DQ-T, SI6973D, SI6973, SI697, SI69, SI6
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Step1: Vacuum Packaging with PL
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Vacuum Packaging with PL
Step2: Anti-Static Bag
Step2:
Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
***i-Key
MOSFET 2P-CH 20V 4.1A 8TSSOP
Parte # Mfg. Descripción Valores Precio
SI6973DQ-T1-GE3
DISTI # SI6973DQ-T1-GE3-ND		Vishay SiliconixMOSFET 2P-CH 20V 4.1A 8TSSOP
RoHS: Compliant
Min Qty: 3000
Container: Tape & Reel (TR)		Limited Supply - Call
    SI6973DQ-T1-GE3
    DISTI # 781-SI6973DQ-GE3    		Vishay IntertechnologiesMOSFET 20V 4.8A 1.14W 30mohm @ 4.5V
    RoHS: Compliant    		0
      Imagen Parte # Descripción
      SI6973DQ-T1-E3

      Mfr.#: SI6973DQ-T1-E3

      OMO.#: OMO-SI6973DQ-T1-E3

      		 MOSFET RECOMMENDED ALT 781-SI6913DQ-GE3
      SI6973DQ-T1-E3

      Mfr.#: SI6973DQ-T1-E3

      OMO.#: OMO-SI6973DQ-T1-E3-VISHAY

      		 RF Bipolar Transistors MOSFET 20V 4.8A 4.8W
      SI6973DQ-T1-GE3

      Mfr.#: SI6973DQ-T1-GE3

      OMO.#: OMO-SI6973DQ-T1-GE3-VISHAY

      		 MOSFET 2P-CH 20V 4.1A 8TSSOP
      SI6973DQ

      Mfr.#: SI6973DQ

      OMO.#: OMO-SI6973DQ-1190

      		 Nuevo y original
      SI6973DQ-T1

      Mfr.#: SI6973DQ-T1

      OMO.#: OMO-SI6973DQ-T1-1190

      		 MOSFET RECOMMENDED ALT 781-SI6913DQ-GE3
      Disponibilidad
      Valores:
      Available
      En orden:
      3500
      Ingrese la cantidad:
      El precio actual de SI6973DQ-T1-GE3 es solo de referencia, si desea obtener el mejor precio, envíe una consulta o envíe un correo electrónico directo a nuestro equipo de ventas [email protected]
      Precio de referencia (USD)
      Cantidad
      Precio unitario
      Ext. Precio
      1
      0,00 US$
      0,00 US$
      10
      0,00 US$
      0,00 US$
      100
      0,00 US$
      0,00 US$
      500
      0,00 US$
      0,00 US$
      1000
      0,00 US$
      0,00 US$
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