CSD86311W1723

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Instrumentos Texas

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

DSBGA-12

Número de canales:

2 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

25 V

Id - Corriente de drenaje continua:

5 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

42 mOhms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

1 V

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

10 V

Qg - Carga de puerta:

3.1 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

1.5 W

Configuración:

Doble

Nombre comercial:

NexFET

Embalaje:

Carrete

Altura:

0.62 mm

Longitud:

2.32 mm

Serie:

CSD86311W1723

Tipo de transistor:

2 N-Channel

Ancho:

1.74 mm

Marca:

Instrumentos Texas

Transconductancia directa - Mín .:

6.4 S

Otoño:

2.9 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

4.3 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

3000

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

13.2 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

5.4 ns

Unidad de peso:

0.000145 oz

Tags

CSD86, CSD8, CSD