STGWA80H65DFB

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

STMicroelectronics

Categoria de producto:

Transistores IGBT

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Paquete / Caja:

TO-247-3

Estilo de montaje:

A través del orificio

Configuración:

Único

Voltaje colector-emisor VCEO Max:

650 V

Voltaje de saturación colector-emisor:

2 V

Voltaje máximo del emisor de puerta:

20 V

Corriente continua del colector a 25 C:

120 A

Pd - Disipación de energía:

469 W

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 175 C

Serie:

STGWA80H65DFB

Corriente continua de colector Ic Max:

80 A

Altura:

5.3 mm

Longitud:

20.3 mm

Rango de temperatura de funcionamiento:

- 55 C to + 175 C

Ancho:

15.9 mm

Marca:

STMicroelectronics

Corriente continua del colector:

120 A

Corriente de fuga puerta-emisor:

250 nA

Tipo de producto:

Transistores IGBT

Cantidad de paquete de fábrica:

600

Subcategoría:

IGBT

Unidad de peso:

1.340411 oz

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STGWA8, STGWA, STGW, STG