IXTP120N04T2

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

IXYS

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

A través del orificio

Paquete / Caja:

TO-220-3

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

40 V

Id - Corriente de drenaje continua:

120 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

6.1 mOhms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

4 V

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

20 V

Qg - Carga de puerta:

58 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 175 C

Pd - Disipación de energía:

200 W

Configuración:

Único

Modo de canal:

Mejora

Nombre comercial:

HiPerFET

Embalaje:

Tubo

Altura:

16 mm

Longitud:

10.66 mm

Serie:

IXTP120N04

Tipo de transistor:

1 N-Channel

Escribe:

TrenchT2 Power MOSFET

Ancho:

4.83 mm

Marca:

IXYS

Transconductancia directa - Mín .:

28 S

Otoño:

11 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

8 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

50

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

16 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

14 ns

Unidad de peso:

0.081130 oz

Tags

IXTP120, IXTP12, IXTP1, IXTP, IXT