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TC58NYG1S3HBAI4

TC58NYG1S3HBAI4
Mfr. #:
TC58NYG1S3HBAI4
Fabricante:
Toshiba Memory
Descripción:
NAND Flash 1.8V 2Gb 24nm SLC NAND (EEPROM)
Ciclo vital:
Nuevo de este fabricante.
Ficha de datos:
TC58NYG1S3HBAI4 Ficha de datos
Entrega:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Pago:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
Atributo del producto
Valor de atributo
Fabricante:
Toshiba
Categoria de producto:
NAND Flash
RoHS:
Y
Estilo de montaje:
SMD / SMT
Paquete / Caja:
TFBGA-63
Tamaño de la memoria:
2 Gbit
Tipo de interfaz:
Parallel
Organización:
256 M x 8
Tipo de tiempo:
Sincrónico
Ancho del bus de datos:
8 bit
Voltaje de suministro - Min:
1.7 V
Voltaje de suministro - Máx:
1.95 V
Corriente de suministro - Máx .:
30 mA
Temperatura mínima de funcionamiento:
- 40 C
Temperatura máxima de funcionamiento:
+ 85 C
Embalaje:
Bandeja
Tipo de memoria:
NAND
Producto:
NAND Flash
Velocidad:
25 ns
Arquitectura:
Borrar bloque
Marca:
Memoria Toshiba
Frecuencia máxima de reloj:
-
Sensible a la humedad:
Yes
Tipo de producto:
NAND Flash
Cantidad de paquete de fábrica:
210
Subcategoría:
Memoria y almacenamiento de datos
Tags
TC58NYG1S3HBAI4, TC58NYG1S3H, TC58NYG1S3, TC58NYG1, TC58NYG, TC58NY, TC58N, TC58, TC5
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Email: [email protected]

Step1: Vacuum Packaging with PL
Step1:
Vacuum Packaging with PL
Step2: Anti-Static Bag
Step2:
Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
***ronik
NAND-Flash 256Mx8 1.8V BGA63
***i-Key
2GB NAND SLC 24NM BGA (EEPROM)
***et
2Gbit, generation: 24nm, VCC=1.7 to 1.95V
Parte # Mfg. Descripción Valores Precio
TC58NYG1S3HBAI4
DISTI # TC58NYG1S3HBAI4-ND		Toshiba Semiconductor and Storage Products2G NAND SLC 24NM BGA
RoHS: Compliant
Min Qty: 210
Container: Tray		Temporarily Out of Stock
  • 210:$3.8950
TC58NYG1S3HBAI4
DISTI # TC58NYG1S3HBAI4		Toshiba America Electronic Components2Gbit, generation: 24nm, VCC=1.7 to 1.95V - Trays (Alt: TC58NYG1S3HBAI4)
RoHS: Compliant
Min Qty: 210
Container: Tray		Americas - 0
  • 210:$2.8900
  • 420:$2.8900
  • 840:$2.7900
  • 1260:$2.7900
  • 2100:$2.6900
TC58NYG1S3HBAI4
DISTI # 757-TC58NYG1S3HBAI4		Toshiba America Electronic ComponentsNAND Flash 1.8V 2Gb 24nm SLC NAND (EEPROM)
RoHS: Compliant		228
  • 1:$5.3200
  • 10:$4.2800
  • 100:$3.9000
  • 250:$3.5200
  • 500:$3.1600
  • 1000:$2.6600
  • 2500:$2.5300
Imagen Parte # Descripción
TC58NYG1S3EBAI5

Mfr.#: TC58NYG1S3EBAI5

OMO.#: OMO-TC58NYG1S3EBAI5

 NAND Flash 1.8V 2Gb 43nm SLC NAND (EEPROM)
TC58NYG1S8EBAI4

Mfr.#: TC58NYG1S8EBAI4

OMO.#: OMO-TC58NYG1S8EBAI4-1190

 Nuevo y original
TC58NYG1S8HBAI6/2GBIT

Mfr.#: TC58NYG1S8HBAI6/2GBIT

OMO.#: OMO-TC58NYG1S8HBAI6-2GBIT-1190

 Nuevo y original
TC58NYG2S0FBAI4

Mfr.#: TC58NYG2S0FBAI4

OMO.#: OMO-TC58NYG2S0FBAI4-1190

 Nuevo y original
TC58NYG2S3ETAIO

Mfr.#: TC58NYG2S3ETAIO

OMO.#: OMO-TC58NYG2S3ETAIO-1190

 Nuevo y original
TC58NYG2S0HBAI6

Mfr.#: TC58NYG2S0HBAI6

OMO.#: OMO-TC58NYG2S0HBAI6-TOSHIBA-MEMORY-AMERICA

 EEPROM 1.8V, 4 Gbit CMOS NAND EEPROM
TC58NYG0S3HBAI6

Mfr.#: TC58NYG0S3HBAI6

OMO.#: OMO-TC58NYG0S3HBAI6-TOSHIBA-MEMORY-AMERICA

 EEPROM 1.8V, 1 Gbit CMOS NAND EEPROM
TC58NYG1S3EBAI5

Mfr.#: TC58NYG1S3EBAI5

OMO.#: OMO-TC58NYG1S3EBAI5-1151

 Flash Memory 2Gb 1.8V SLC NAND Flash Serial EEPROM
TC58NYG0S3EBAI4JRH

Mfr.#: TC58NYG0S3EBAI4JRH

OMO.#: OMO-TC58NYG0S3EBAI4JRH-1190

 Nuevo y original
TC58NYG1S3HBAI4-ND

Mfr.#: TC58NYG1S3HBAI4-ND

OMO.#: OMO-TC58NYG1S3HBAI4-ND-1190

 Nuevo y original
Disponibilidad
Valores:
228
En orden:
2211
Ingrese la cantidad:
El precio actual de TC58NYG1S3HBAI4 es solo de referencia, si desea obtener el mejor precio, envíe una consulta o envíe un correo electrónico directo a nuestro equipo de ventas [email protected]
Precio de referencia (USD)
Cantidad
Precio unitario
Ext. Precio
1
3,52 US$
3,52 US$
10
3,19 US$
31,90 US$
25
3,12 US$
78,00 US$
50
3,11 US$
155,50 US$
100
2,79 US$
279,00 US$
250
2,78 US$
695,00 US$
500
2,67 US$
1 335,00 US$
1000
2,54 US$
2 540,00 US$
2500
2,42 US$
6 050,00 US$
Debido a la escasez de semiconductores a partir de 2021, el precio inferior es el precio normal antes de 2021. Envíe una consulta para confirmar.
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