IXFN38N80Q2

IXFN38N80Q2
Mfr. #:
IXFN38N80Q2
Fabricante:
Littelfuse
Descripción:
MOSFET 38 Amps 800V 0.22 Rds
Ciclo vital:
Nuevo de este fabricante.
Ficha de datos:
IXFN38N80Q2 Ficha de datos
Entrega:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Pago:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
Atributo del producto
Valor de atributo
Fabricante
IXYS
categoria de producto
Módulo
Serie
IXFN38N80
embalaje
Tubo
Unidad de peso
1.340411 oz
Estilo de montaje
SMD / SMT
Nombre comercial
HyperFET
Paquete-Estuche
SOT-227-4
Tecnología
Si
Número de canales
1 Channel
Configuración
Único
Tipo transistor
1 N-Channel
Disipación de potencia Pd
735 W
Temperatura máxima de funcionamiento
+ 150 C
Temperatura mínima de funcionamiento
- 55 C
Otoño
12 ns
Hora de levantarse
16 ns
Vgs-Puerta-Fuente-Voltaje
30 V
Id-corriente-de-drenaje-continua
38 A
Vds-Drain-Source-Breakdown-Voltage
800 V
Resistencia a la fuente de desagüe de Rds
220 mOhms
Polaridad del transistor
Canal N
Tiempo de retardo de apagado típico
60 ns
Tiempo de retardo de encendido típico
20 ns
Modo de canal
Mejora
Tags
IXFN38, IXFN3, IXFN, IXF
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Step1: Vacuum Packaging with PL
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Vacuum Packaging with PL
Step2: Anti-Static Bag
Step2:
Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
***ical
Trans MOSFET N-CH 800V 38A 4-Pin SOT-227B
***el Nordic
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Parte # Mfg. Descripción Valores Precio
IXFN38N80Q2
DISTI # IXFN38N80Q2-ND
IXYS CorporationMOSFET N-CH 800V 38A SOT-227
RoHS: Compliant
Min Qty: 10
Container: Tube
Temporarily Out of Stock
  • 10:$34.2250
IXFN38N80Q2
DISTI # 747-IXFN38N80Q2
IXYS CorporationMOSFET 38 Amps 800V 0.22 Rds
RoHS: Compliant
0
  • 10:$34.2300
  • 30:$31.4500
  • 50:$30.1100
  • 100:$29.2300
  • 200:$26.8200
Imagen Parte # Descripción
IXFN360N15T2

Mfr.#: IXFN360N15T2

OMO.#: OMO-IXFN360N15T2

MOSFET GigaMOS Trench T2 HiperFET PWR MOSFET
IXFN36N60

Mfr.#: IXFN36N60

OMO.#: OMO-IXFN36N60

MOSFET 600V 36A
IXFN36-100

Mfr.#: IXFN36-100

OMO.#: OMO-IXFN36-100-1190

Nuevo y original
IXFN360N15T2

Mfr.#: IXFN360N15T2

OMO.#: OMO-IXFN360N15T2-IXYS-CORPORATION

MOSFET N-CH 150V 310A SOT227
IXFN32N100P

Mfr.#: IXFN32N100P

OMO.#: OMO-IXFN32N100P-IXYS-CORPORATION

MOSFET N-CH 1000V 27A SOT-227B
IXFN38N100Q2

Mfr.#: IXFN38N100Q2

OMO.#: OMO-IXFN38N100Q2-IXYS-CORPORATION

MOSFET 38 Amps 1000V 0.25 Rds
IXFN34N100

Mfr.#: IXFN34N100

OMO.#: OMO-IXFN34N100-IXYS-CORPORATION

MOSFET 34 Amps 1000V 0.28 Rds
IXFN32N60

Mfr.#: IXFN32N60

OMO.#: OMO-IXFN32N60-IXYS-CORPORATION

MOSFET 32 Amps 600V
IXFN32N80P

Mfr.#: IXFN32N80P

OMO.#: OMO-IXFN32N80P-IXYS-CORPORATION

IGBT Transistors MOSFET 29 Amps 800V 0.27 Rds
IXFN36N100

Mfr.#: IXFN36N100

OMO.#: OMO-IXFN36N100-IXYS-CORPORATION

IGBT Transistors MOSFET 1KV 36A
Disponibilidad
Valores:
Available
En orden:
4000
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El precio actual de IXFN38N80Q2 es solo de referencia, si desea obtener el mejor precio, envíe una consulta o envíe un correo electrónico directo a nuestro equipo de ventas [email protected]
Precio de referencia (USD)
Cantidad
Precio unitario
Ext. Precio
1
40,23 US$
40,23 US$
10
38,22 US$
382,18 US$
100
36,21 US$
3 620,70 US$
500
34,20 US$
17 097,75 US$
1000
32,18 US$
32 184,00 US$
Debido a la escasez de semiconductores a partir de 2021, el precio inferior es el precio normal antes de 2021. Envíe una consulta para confirmar.
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