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IXFN38N100Q2

IXFN38N100Q2
Mfr. #:
IXFN38N100Q2
Fabricante:
IXYS
Descripción:
MOSFET 38 Amps 1000V 0.25 Rds
Ciclo vital:
Nuevo de este fabricante.
Ficha de datos:
IXFN38N100Q2 Ficha de datos
Entrega:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Pago:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
Atributo del producto
Valor de atributo
Fabricante
IXYS
categoria de producto
Módulo
Serie
HiPerFET
embalaje
Tubo
Unidad de peso
1.340411 oz
Estilo de montaje
SMD / SMT
Nombre comercial
HyperFET
Paquete-Estuche
SOT-227-4, miniBLOC
Tecnología
Si
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Montaje en chasis
Número de canales
1 Channel
Paquete de dispositivo de proveedor
SOT-227B
Configuración
Fuente dual única
Tipo FET
Canal N MOSFET, óxido metálico
Potencia máxima
890W
Tipo transistor
1 N-Channel
Drenaje-a-fuente-voltaje-Vdss
1000V (1kV)
Entrada-Capacitancia-Ciss-Vds
7200pF @ 25V
Función FET
Estándar
Corriente-Continuo-Drenaje-Id-25 ° C
38A
Rds-On-Max-Id-Vgs
250 mOhm @ 19A, 10V
Vgs-th-Max-Id
5V @ 8mA
Puerta-Carga-Qg-Vgs
250nC @ 10V
Disipación de potencia Pd
890 W
Temperatura máxima de funcionamiento
+ 150 C
Temperatura mínima de funcionamiento
- 55 C
Otoño
15 ns
Hora de levantarse
28 ns
Vgs-Puerta-Fuente-Voltaje
30 V
Id-corriente-de-drenaje-continua
38 A
Vds-Drain-Source-Breakdown-Voltage
1000 V
Resistencia a la fuente de desagüe de Rds
250 mOhms
Polaridad del transistor
Canal N
Tiempo de retardo de apagado típico
57 ns
Tiempo de retardo de encendido típico
25 ns
Modo de canal
Mejora
Tags
IXFN38N1, IXFN38, IXFN3, IXFN, IXF
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Step1: Vacuum Packaging with PL
Step1:
Vacuum Packaging with PL
Step2: Anti-Static Bag
Step2:
Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
***ource
N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated, Low Qg, Low Intrinsic Rg High dV/dt, Low trr
***ical
Trans MOSFET N-CH 1KV 38A 4-Pin SOT-227B
***enic
1kV 38A 250m´Î@10V19A 890W 5V@8mA N Channel SOT-227B MOSFETs ROHS
*** Stop Electro
Power Field-Effect Transistor, 38A I(D), 1000V, 0.25ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
Parte # Mfg. Descripción Valores Precio
IXFN38N100Q2
DISTI # IXFN38N100Q2-ND		IXYS CorporationMOSFET N-CH 1000V 38A SOT-227
RoHS: Compliant
Min Qty: 10
Container: Tube		Limited Supply - Call
    IXFN38N100Q2
    DISTI # 747-IXFN38N100Q2    		IXYS CorporationMOSFET 38 Amps 1000V 0.25 Rds
    RoHS: Compliant    		0
      Imagen Parte # Descripción
      IXFN38N100P

      Mfr.#: IXFN38N100P

      OMO.#: OMO-IXFN38N100P

      		 MOSFET 38 Amps 1000V
      IXFN38N80Q2

      Mfr.#: IXFN38N80Q2

      OMO.#: OMO-IXFN38N80Q2

      		 MOSFET 38 Amps 800V 0.22 Rds
      IXFN38N100

      Mfr.#: IXFN38N100

      OMO.#: OMO-IXFN38N100-1190

      		 Nuevo y original
      IXFN38N100P

      Mfr.#: IXFN38N100P

      OMO.#: OMO-IXFN38N100P-IXYS-CORPORATION

      		 MOSFET N-CH 1000V 38A SOT-227B
      IXFN38N100Q2

      Mfr.#: IXFN38N100Q2

      OMO.#: OMO-IXFN38N100Q2-IXYS-CORPORATION

      		 MOSFET 38 Amps 1000V 0.25 Rds
      IXFN38N80Q2

      Mfr.#: IXFN38N80Q2

      OMO.#: OMO-IXFN38N80Q2-IXYS-CORPORATION

      		 MOSFET 38 Amps 800V 0.22 Rds
      Disponibilidad
      Valores:
      Available
      En orden:
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      Ext. Precio
      1
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      0,00 US$
      10
      0,00 US$
      0,00 US$
      100
      0,00 US$
      0,00 US$
      500
      0,00 US$
      0,00 US$
      1000
      0,00 US$
      0,00 US$
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