FDD850N10LD

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

EN Semiconductor

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

TO-252-5

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

100 V

Id - Corriente de drenaje continua:

15.7 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

75 mOhms

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

20 V

Qg - Carga de puerta:

22.2 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

42 W

Configuración:

Único

Modo de canal:

Mejora

Nombre comercial:

PowerTrench

Embalaje:

Carrete

Altura:

2.39 mm

Longitud:

6.73 mm

Serie:

FDD850N10LD

Tipo de transistor:

1 N-Channel

Ancho:

6.22 mm

Marca:

ON Semiconductor / Fairchild

Transconductancia directa - Mín .:

31 S

Otoño:

8 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

21 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

2500

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

27 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

17 ns

Unidad de peso:

0.009184 oz

Tags

FDD850, FDD85, FDD8, FDD