SI4670DY-T1-E3

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Vishay

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

E

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

SO-8

Número de canales:

2 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

25 V

Id - Corriente de drenaje continua:

7 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

23 mOhms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

1 V

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

16 V

Qg - Carga de puerta:

18 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

2.8 W

Configuración:

Doble

Modo de canal:

Mejora

Nombre comercial:

TrenchFET

Embalaje:

Carrete

Serie:

SI4

Tipo de transistor:

2 N-Channel

Marca:

Vishay / Siliconix

Transconductancia directa - Mín .:

23 S

Otoño:

10 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

50 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

2500

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

20 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

15 ns

Parte # Alias:

SI4670DY-E3

Unidad de peso:

0.006596 oz

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SI4670DY-T1-E, SI4670DY-T, SI4670D, SI4670, SI467, SI46, SI4