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SI4670DY-T1-E3

SI4670DY-T1-E3
Mfr. #:
SI4670DY-T1-E3
Fabricante:
Vishay
Descripción:
RF Bipolar Transistors MOSFET 25V 8.0A 2.8W
Ciclo vital:
Nuevo de este fabricante.
Ficha de datos:
SI4670DY-T1-E3 Ficha de datos
Entrega:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Pago:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
Más información:
SI4670DY-T1-E3 más información
Atributo del producto
Valor de atributo
Fabricante
Vishay Siliconix
categoria de producto
FET: matrices
Serie
TrincheraFETR
embalaje
Embalaje alternativo de Digi-ReelR
Alias ​​de parte
SI4670DY-E3
Unidad de peso
0.006596 oz
Estilo de montaje
SMD / SMT
Nombre comercial
TrenchFET
Paquete-Estuche
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Tecnología
Si
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Montaje superficial
Número de canales
2 Channel
Paquete de dispositivo de proveedor
8-SO
Configuración
Dual con diodo Schottky
Tipo FET
2 N-Channel (Dual)
Potencia máxima
2.8W
Tipo transistor
2 N-Channel
Drenaje-a-fuente-voltaje-Vdss
25V
Entrada-Capacitancia-Ciss-Vds
680pF @ 13V
Función FET
Puerta de nivel lógico
Corriente-Continuo-Drenaje-Id-25 ° C
8A
Rds-On-Max-Id-Vgs
23 mOhm @ 7A, 10V
Vgs-th-Max-Id
2.2V @ 250μA
Puerta-Carga-Qg-Vgs
18nC @ 10V
Disipación de potencia Pd
1.8 W
Temperatura máxima de funcionamiento
+ 150 C
Temperatura mínima de funcionamiento
- 55 C
Otoño
50 ns
Hora de levantarse
50 ns
Vgs-Puerta-Fuente-Voltaje
16 V
Id-corriente-de-drenaje-continua
7 A
Vds-Drain-Source-Breakdown-Voltage
25 V
Resistencia a la fuente de desagüe de Rds
23 mOhms
Polaridad del transistor
Canal N
Tiempo de retardo de apagado típico
20 ns
Tiempo de retardo de encendido típico
15 ns
Modo de canal
Mejora
Tags
SI4670DY-T1-E, SI4670DY-T, SI4670D, SI4670, SI467, SI46, SI4
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Step1: Vacuum Packaging with PL
Step1:
Vacuum Packaging with PL
Step2: Anti-Static Bag
Step2:
Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
***et
Transistor MOSFET Array Dual N-Channel 25V 7A 8-Pin SOIC N T/R
***i-Key
MOSFET 2N-CH 25V 8A 8SOIC
***ronik
DUAL 25V 8A 23mOhm SO-8
***
DUAL N-CH 30V MSFT W/SCHOTTKY
Si4 MOSFETs
Vishay/Siliconix Si4 MOSFETs are TrenchFET® power MOSFETs used for amplifying electronic signals. These Si4 MOSFETs are available in N-channel, P-channel, and N- & P-channel. The Si4 MOSFETs offer different VGS, VDS, and temperature ranges. The Si4 MOSFETs operate in an enhancement mode and used for switching between electronic signals. These MOSFETs are a surface mount, 100% Rg and UIS tested, and comes in a reel-package.Learn More
Integrated MOSFET Solutions
Vishay Integrated MOSFET Solutions combine components into a single monolithic chip to increase power density, increase efficiency, simplify design, and reduce Bill of Material (BOM) costs. These single- and multi-die MOSFETs integrate features such as Schottky Barrier diodes and ESD protection. These MOSFETs feature low ON-resistance N- and P-channel TrenchFET® technologies and low thermal resistance. 
Parte # Mfg. Descripción Valores Precio
SI4670DY-T1-E3
DISTI # SI4670DY-T1-E3TR-ND		Vishay SiliconixMOSFET 2N-CH 25V 8A 8SOIC
RoHS: Compliant
Min Qty: 2500
Container: Tape & Reel (TR)		Temporarily Out of Stock
  • 2500:$0.5236
SI4670DY-T1-E3
DISTI # SI4670DY-T1-E3CT-ND		Vishay SiliconixMOSFET 2N-CH 25V 8A 8SOIC
RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Cut Tape (CT)		Temporarily Out of Stock
  • 1000:$0.5778
  • 500:$0.7319
  • 100:$0.9438
  • 10:$1.1940
  • 1:$1.3500
SI4670DY-T1-E3
DISTI # SI4670DY-T1-E3DKR-ND		Vishay SiliconixMOSFET 2N-CH 25V 8A 8SOIC
RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Digi-Reel®		Temporarily Out of Stock
  • 1000:$0.5778
  • 500:$0.7319
  • 100:$0.9438
  • 10:$1.1940
  • 1:$1.3500
SI4670DY-T1-E3
DISTI # SI4670DY-T1-E3		Vishay IntertechnologiesTrans MOSFET N-CH 25V 7A 8-Pin SOIC N T/R - Tape and Reel (Alt: SI4670DY-T1-E3)
RoHS: Not Compliant
Min Qty: 2500
Container: Reel		Americas - 0
  • 2500:$0.4939
  • 5000:$0.4799
  • 10000:$0.4599
  • 15000:$0.4469
  • 25000:$0.4349
SI4670DY-T1-E3
DISTI # 781-SI4670DY-E3		Vishay IntertechnologiesMOSFET 25V Vds 16V Vgs SO-8
RoHS: Compliant		0
  • 1:$1.1900
  • 10:$0.9800
  • 100:$0.7520
  • 500:$0.6470
  • 1000:$0.5680
  • 2500:$0.5670
Imagen Parte # Descripción
SI4670DY-T1-E3

Mfr.#: SI4670DY-T1-E3

OMO.#: OMO-SI4670DY-T1-E3

 MOSFET 25V Vds 16V Vgs SO-8
SI4670DY-T1-GE3

Mfr.#: SI4670DY-T1-GE3

OMO.#: OMO-SI4670DY-T1-GE3

 MOSFET 25V Vds 16V Vgs SO-8
SI4670DY-T1-GE3

Mfr.#: SI4670DY-T1-GE3

OMO.#: OMO-SI4670DY-T1-GE3-VISHAY

 RF Bipolar Transistors MOSFET Dual N-ChW/ Schottky 25V 23mohms @ 10V
SI4670DY-T1-E3

Mfr.#: SI4670DY-T1-E3

OMO.#: OMO-SI4670DY-T1-E3-VISHAY

 RF Bipolar Transistors MOSFET 25V 8.0A 2.8W
SI4670DY

Mfr.#: SI4670DY

OMO.#: OMO-SI4670DY-1190

 Nuevo y original
SI4670DY-T1-E3-S

Mfr.#: SI4670DY-T1-E3-S

OMO.#: OMO-SI4670DY-T1-E3-S-1190

 Nuevo y original
SI4670DY-T1-E3..

Mfr.#: SI4670DY-T1-E3..

OMO.#: OMO-SI4670DY-T1-E3--1190

 Nuevo y original
Disponibilidad
Valores:
Available
En orden:
2500
Ingrese la cantidad:
El precio actual de SI4670DY-T1-E3 es solo de referencia, si desea obtener el mejor precio, envíe una consulta o envíe un correo electrónico directo a nuestro equipo de ventas [email protected]
Precio de referencia (USD)
Cantidad
Precio unitario
Ext. Precio
1
0,65 US$
0,65 US$
10
0,62 US$
6,20 US$
100
0,59 US$
58,71 US$
500
0,55 US$
277,25 US$
1000
0,52 US$
521,90 US$
Debido a la escasez de semiconductores a partir de 2021, el precio inferior es el precio normal antes de 2021. Envíe una consulta para confirmar.
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