BSC205N10LS G

BSC205N10LS G
Mfr. #:
BSC205N10LS G
Fabricante:
Infineon Technologies
Descripción:
MOSFET N-Ch 100V 7.4A TDSON-8
Ciclo vital:
Nuevo de este fabricante.
Ficha de datos:
BSC205N10LS G Ficha de datos
Entrega:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Pago:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
Atributo del producto
Valor de atributo
Fabricante:
Infineon
Categoria de producto:
MOSFET
RoHS:
Y
Tecnología:
Si
Estilo de montaje:
SMD / SMT
Paquete / Caja:
TDSON-8
Número de canales:
1 Channel
Polaridad del transistor:
Canal N
Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:
100 V
Id - Corriente de drenaje continua:
7.4 A
Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:
20.5 mOhms
Vgs - Voltaje puerta-fuente:
20 V
Temperatura mínima de funcionamiento:
- 55 C
Temperatura máxima de funcionamiento:
+ 150 C
Pd - Disipación de energía:
76 W
Configuración:
Único
Modo de canal:
Mejora
Nombre comercial:
OptiMOS
Embalaje:
Carrete
Altura:
1.27 mm
Longitud:
5.9 mm
Serie:
BSC205N10
Tipo de transistor:
1 N-Channel
Ancho:
5.15 mm
Marca:
Infineon Technologies
Otoño:
4 ns
Tipo de producto:
MOSFET
Hora de levantarse:
24 ns
Cantidad de paquete de fábrica:
5000
Subcategoría:
MOSFET
Tiempo de retardo de apagado típico:
30 ns
Tiempo típico de retardo de encendido:
14 ns
Parte # Alias:
BSC205N10LSGATMA1 SP000379616
Tags
BSC205N10LSG, BSC205, BSC20, BSC2, BSC
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Step1: Vacuum Packaging with PL
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Vacuum Packaging with PL
Step2: Anti-Static Bag
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Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
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Packaging Boxes
Parte # Mfg. Descripción Valores Precio
BSC205N10LS G
DISTI # BSC205N10LSGTR-ND
Infineon Technologies AGMOSFET N-CH 100V 45A TDSON-8
RoHS: Compliant
Min Qty: 5000
Container: Tape & Reel (TR)
Limited Supply - Call
    BSC205N10LS G
    DISTI # BSC205N10LSGCT-ND
    Infineon Technologies AGMOSFET N-CH 100V 45A TDSON-8
    RoHS: Compliant
    Min Qty: 1
    Container: Cut Tape (CT)
    Limited Supply - Call
      BSC205N10LS G
      DISTI # BSC205N10LSGDKR-ND
      Infineon Technologies AGMOSFET N-CH 100V 45A TDSON-8
      RoHS: Compliant
      Min Qty: 1
      Container: Digi-Reel®
      Limited Supply - Call
        BSC205N10LS G
        DISTI # 726-BSC205N10LSG
        Infineon Technologies AGMOSFET N-Ch 100V 7.4A TDSON-8
        RoHS: Compliant
        0
          BSC205N10LSGInfineon Technologies AGPower Field-Effect Transistor, 7.4A I(D), 100V, 0.0205ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
          RoHS: Compliant
          6751
          • 1000:$0.5000
          • 500:$0.5300
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          BSC205N10LS GInfineon Technologies AG 
          RoHS: Not Compliant
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          BSC205N10LSGATMA1Infineon Technologies AGPower Field-Effect Transistor, 7.4A I(D), 100V, 0.0205ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
          RoHS: Not Compliant
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          BSC205N10LSGInfineon Technologies AG7.4 A, 100 V, 0.0205 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET4899
          • 3498:$0.4095
          • 1642:$0.4290
          • 1:$1.5600
          Imagen Parte # Descripción
          BSC205N10LS G

          Mfr.#: BSC205N10LS G

          OMO.#: OMO-BSC205N10LS-G

          MOSFET N-Ch 100V 7.4A TDSON-8
          BSC205N10LS

          Mfr.#: BSC205N10LS

          OMO.#: OMO-BSC205N10LS-1190

          Nuevo y original
          BSC205N10LSG

          Mfr.#: BSC205N10LSG

          OMO.#: OMO-BSC205N10LSG-1190

          Power Field-Effect Transistor, 7.4A I(D), 100V, 0.0205ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
          BSC205N10LSGATMA1

          Mfr.#: BSC205N10LSGATMA1

          OMO.#: OMO-BSC205N10LSGATMA1-1190

          Power Field-Effect Transistor, 7.4A I(D), 100V, 0.0205ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
          BSC205N10LS G

          Mfr.#: BSC205N10LS G

          OMO.#: OMO-BSC205N10LS-G-INFINEON-TECHNOLOGIES

          IGBT Transistors MOSFET N-Ch 100V 7.4A TDSON-8
          Disponibilidad
          Valores:
          Available
          En orden:
          3500
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