SQJ200EP

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante

Vishay Siliconix

categoria de producto

FET: matrices

Serie

Automotive, AEC-Q101, TrenchFETR

embalaje

Embalaje alternativo de Digi-ReelR

Estilo de montaje

SMD / SMT

Paquete-Estuche

PowerPAKR SO-8 Dual

Tecnología

Si

Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo de montaje

Montaje superficial

Número de canales

2 Channel

Paquete de dispositivo de proveedor

PowerPAKR SO-8 Dual Asymmetric

Configuración

2 N-Channel

Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Potencia máxima

27W, 48W

Tipo transistor

2 N-Channel

Drenaje-a-fuente-voltaje-Vdss

20V

Entrada-Capacitancia-Ciss-Vds

975pF @ 10V

Función FET

Estándar

Corriente-Continuo-Drenaje-Id-25 ° C

20A, 60A

Rds-On-Max-Id-Vgs

8.8 mOhm @ 16A, 10V

Vgs-th-Max-Id

2V @ 250μA

Puerta-Carga-Qg-Vgs

18nC @ 10V

Disipación de potencia Pd

27 W 48 W

Temperatura máxima de funcionamiento

+ 175 C

Temperatura mínima de funcionamiento

- 55 C

Otoño

13 ns 14 ns

Hora de levantarse

18 ns 17 ns

Vgs-Puerta-Fuente-Voltaje

+/- 20 V +/- 20 V

Id-corriente-de-drenaje-continua

20 A 60 A

Vds-Drain-Source-Breakdown-Voltage

20 V 20 V

Vgs-th-Gate-Source-Threshold-Voltage

1 V 1 V

Resistencia a la fuente de desagüe de Rds

12.4 mOhms 6.3 mOhms

Polaridad del transistor

NPN de canal N

Tiempo de retardo de apagado típico

13 ns 19 ns

Tiempo de retardo de encendido típico

4 ns 7 ns

Qg-Gate-Charge

12 nC 29 nC

Transconductancia directa-Mín.

55 S 60 S

Modo de canal

Mejora

Tags

SQJ200, SQJ20, SQJ2, SQJ