SQJ208EP-T1_GE3

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Vishay

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

SO-8

Número de canales:

2 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

40 V

Id - Corriente de drenaje continua:

20 A, 60 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

9.4 mOhms, 3.9 mOhms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

1.3 V, 1.4 V

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

20 V

Qg - Carga de puerta:

33 nC, 75 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 175 C

Pd - Disipación de energía:

48 W

Configuración:

Doble

Modo de canal:

Mejora

Nombre comercial:

TrenchFET

Embalaje:

Carrete

Serie:

SQ

Tipo de transistor:

2 N-Channel

Marca:

Vishay / Siliconix

Transconductancia directa - Mín .:

32 S, 51 S

Otoño:

25 ns, 57 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

4 ns, 5 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

3000

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

24 ns, 35 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

10 ns, 14 ns

Tags

SQJ20, SQJ2, SQJ