SQJ204EP-T1_GE3

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Vishay

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

PowerPAK-SO-8L-4

Número de canales:

2 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

12 V

Id - Corriente de drenaje continua:

20 A, 60 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

3 mOhms, 8.3 mOhms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

500 mV

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

12 V

Qg - Carga de puerta:

20 nC, 50 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 175 C

Pd - Disipación de energía:

27 W, 48 W

Configuración:

Doble

Modo de canal:

Mejora

Embalaje:

Carrete

Serie:

SQ

Marca:

Vishay / Siliconix

Transconductancia directa - Mín .:

38 S, 66 S

Otoño:

5 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

5 ns, 27 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

3000

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

22 ns, 34 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

10 ns, 17 ns

Tags

SQJ20, SQJ2, SQJ