BSO211P H

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Infineon

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

SO-8

Número de canales:

2 Channel

Polaridad del transistor:

P-Channel

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

20 V

Id - Corriente de drenaje continua:

4.6 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

54 mOhms, 54 mOhms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

1.2 V

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

12 V

Qg - Carga de puerta:

- 10 nC, - 10 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

2 W

Configuración:

Doble

Modo de canal:

Mejora

Embalaje:

Carrete

Altura:

1.75 mm

Longitud:

4.9 mm

Serie:

BSO211

Tipo de transistor:

2 P-Channel

Ancho:

3.9 mm

Marca:

Infineon Technologies

Transconductancia directa - Mín .:

8 S, 8 S

Otoño:

27 ns, 27 ns

Sensible a la humedad:

Yes

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

13 ns, 13 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

2500

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

23 ns, 23 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

9 ns, 9 ns

Parte # Alias:

BSO211PHXUMA1 SP000613844

Tags

BSO211PH, BSO211, BSO21, BSO2, BSO