FDS8958B

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

EN Semiconductor

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

SO-8

Número de canales:

2 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N, canal P

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

30 V

Id - Corriente de drenaje continua:

6.4 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

26 mOhms, 51 mOhms

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

20 V, 25 V

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

1.6 W

Configuración:

Doble

Modo de canal:

Mejora

Nombre comercial:

PowerTrench

Embalaje:

Carrete

Altura:

1.75 mm

Longitud:

4.9 mm

Producto:

Pequeña señal MOSFET

Serie:

FDS8958B

Tipo de transistor:

1 N-Channel, 1 P-Channel

Ancho:

3.9 mm

Marca:

ON Semiconductor / Fairchild

Otoño:

2 ns, 6 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

2 ns, 6 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

2500

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

12 nS, 17 nS

Tiempo típico de retardo de encendido:

4.3 nS, 6 nS

Unidad de peso:

0.006596 oz

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FDS8958B, FDS8958, FDS895, FDS89, FDS8, FDS