IPP08CN10N G

IPP08CN10N G
Mfr. #:
IPP08CN10N G
Fabricante:
Infineon Technologies
Descripción:
MOSFET N-Ch 100V 95A TO220-3
Ciclo vital:
Nuevo de este fabricante.
Ficha de datos:
IPP08CN10N G Ficha de datos
Entrega:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Pago:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
HTML Datasheet:
IPP08CN10N G DatasheetIPP08CN10N G Datasheet (P4-P6)IPP08CN10N G Datasheet (P7-P9)IPP08CN10N G Datasheet (P10-P11)
ECAD Model:
Atributo del producto
Valor de atributo
Fabricante:
Infineon
Categoria de producto:
MOSFET
RoHS:
Y
Tecnología:
Si
Estilo de montaje:
A través del orificio
Paquete / Caja:
TO-220-3
Número de canales:
1 Channel
Polaridad del transistor:
Canal N
Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:
100 V
Id - Corriente de drenaje continua:
95 A
Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:
8.5 mOhms
Vgs - Voltaje puerta-fuente:
20 V
Temperatura mínima de funcionamiento:
- 55 C
Temperatura máxima de funcionamiento:
+ 175 C
Pd - Disipación de energía:
167 W
Configuración:
Único
Modo de canal:
Mejora
Embalaje:
Tubo
Altura:
15.65 mm
Longitud:
10 mm
Tipo de transistor:
1 N-Channel
Ancho:
4.4 mm
Marca:
Infineon Technologies
Otoño:
6 ns
Tipo de producto:
MOSFET
Hora de levantarse:
24 ns
Cantidad de paquete de fábrica:
500
Subcategoría:
MOSFET
Tiempo de retardo de apagado típico:
26 ns
Tiempo típico de retardo de encendido:
15 ns
Parte # Alias:
IPP08CN10NGXK
Unidad de peso:
0.211644 oz
Tags
IPP08CN10NG, IPP08CN10N, IPP08CN10, IPP08CN1, IPP08C, IPP08, IPP0, IPP
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Step1: Vacuum Packaging with PL
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Vacuum Packaging with PL
Step2: Anti-Static Bag
Step2:
Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
***ical
Trans MOSFET N-CH 100V 95A 3-Pin(3+Tab) TO-220
***nell
MOSFET, N CH, 95A, 100V, PG-TO220-3; Transistor Polarity:N; Current Id Max:95A; Drain Source Voltage Vds:100V; On Resistance Rds(on):6.4mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Voltage Vgs Max:20V; Power Dissipation:167W; Operating Temperature Range:-55°C to +175°C; Transistor Case Style:TO220; No. of Pins:3; Transistor Type:Power MOSFET
Parte # Mfg. Descripción Valores Precio
IPP08CN10N G
DISTI # IPP08CN10NGIN-ND
Infineon Technologies AGMOSFET N-CH 100V 95A TO-220
RoHS: Compliant
Min Qty: 500
Container: Tube
Limited Supply - Call
    IPP08CN10NGE8171AKSA1
    DISTI # SP000464474
    Infineon Technologies AG(Alt: SP000464474)
    RoHS: Compliant
    Min Qty: 1
    Europe - 0
    • 1000:€0.9919
    • 500:€1.0099
    • 100:€1.0259
    • 50:€1.0439
    • 25:€1.1189
    • 10:€1.3459
    • 1:€1.7279
    IPP08CN10N G
    DISTI # 726-IPP08CN10NG
    Infineon Technologies AGMOSFET N-Ch 100V 95A TO220-3
    RoHS: Compliant
    0
      Imagen Parte # Descripción
      IPP08CNE8N G

      Mfr.#: IPP08CNE8N G

      OMO.#: OMO-IPP08CNE8N-G

      MOSFET N-Ch 85V 95A TO220-3
      IPP08CN10L G

      Mfr.#: IPP08CN10L G

      OMO.#: OMO-IPP08CN10L-G-INFINEON-TECHNOLOGIES

      MOSFET N-CH 100V 98A TO220-3
      IPP08CNE8N G

      Mfr.#: IPP08CNE8N G

      OMO.#: OMO-IPP08CNE8N-G-INFINEON-TECHNOLOGIES

      MOSFET N-CH 85V 95A TO-220
      IPP08CN10L

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      OMO.#: OMO-IPP08CN10L-1190

      Nuevo y original
      IPP08CN10LG

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      OMO.#: OMO-IPP08CN10LG-1190

      Nuevo y original
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      Nuevo y original
      IPP08CN10NG

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      OMO.#: OMO-IPP08CN10NG-1190

      Nuevo y original
      IPP08CN10NG,IPP08CN10N,0

      Mfr.#: IPP08CN10NG,IPP08CN10N,0

      OMO.#: OMO-IPP08CN10NG-IPP08CN10N-0-1190

      Nuevo y original
      IPP08CN15N

      Mfr.#: IPP08CN15N

      OMO.#: OMO-IPP08CN15N-1190

      Nuevo y original
      IPP08CNE8NG

      Mfr.#: IPP08CNE8NG

      OMO.#: OMO-IPP08CNE8NG-1190

      Power Field-Effect Transistor, 95A I(D), 85V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
      Disponibilidad
      Valores:
      Available
      En orden:
      4500
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