IPP08CNE8N G

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Infineon

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

A través del orificio

Paquete / Caja:

TO-220-3

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

85 V

Id - Corriente de drenaje continua:

95 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

6.4 mOhms

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

20 V

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 175 C

Pd - Disipación de energía:

167 W

Configuración:

Único

Modo de canal:

Mejora

Embalaje:

Tubo

Altura:

15.65 mm

Longitud:

10 mm

Tipo de transistor:

1 N-Channel

Ancho:

4.4 mm

Marca:

Infineon Technologies

Otoño:

6 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

24 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

500

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

26 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

15 ns

Parte # Alias:

IPP08CNE8NGXK

Unidad de peso:

0.211644 oz

Tags

IPP08CNE, IPP08C, IPP08, IPP0, IPP