FQB34P10TM-F085P

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

EN Semiconductor

Categoria de producto:

MOSFET

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

D2PAK-3

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

P-Channel

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

100 V

Id - Corriente de drenaje continua:

33.5 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

49 mOhms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

4 V

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

25 V

Qg - Carga de puerta:

85 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 175 C

Pd - Disipación de energía:

155 W

Configuración:

Único

Modo de canal:

Mejora

Embalaje:

Carrete

Tipo de transistor:

1 P-Channel

Marca:

ON Semiconductor / Fairchild

Transconductancia directa - Mín .:

23 S

Otoño:

210 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

250 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

800

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

160 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

25 ns

Parte # Alias:

FQB34P10TM_F085P

Unidad de peso:

0.051500 oz

Tags

FQB34P10TM-F, FQB34P10T, FQB34P, FQB34, FQB3, FQB