BUK9K5R6-30EX

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Nexperia

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

E

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

LFPAK56D-8

Número de canales:

2 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

30 V

Id - Corriente de drenaje continua:

40 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

3.9 mOhms, 3.9 mOhms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

1.4 V

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

10 V

Qg - Carga de puerta:

22.6 nC, 22.6 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 175 C

Pd - Disipación de energía:

64 W

Configuración:

Doble

Modo de canal:

Mejora

Calificación:

AEC-Q101

Embalaje:

Carrete

Tipo de transistor:

2 N-Channel

Marca:

Nexperia

Otoño:

22.4 ns, 22.4 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

25.2 ns, 25.2 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

1500

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

30.1 ns, 30.1 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

13.8 ns, 13.8 ns

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