PMDT290UNE,115

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Nexperia

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

SOT-666-6

Número de canales:

2 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

20 V

Id - Corriente de drenaje continua:

800 mA

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

380 mOhms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

500 mV

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

4.5 V

Qg - Carga de puerta:

0.45 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

390 mW

Configuración:

Doble

Modo de canal:

Mejora

Calificación:

AEC-Q101

Embalaje:

Carrete

Tipo de transistor:

2 N-Channel

Marca:

Nexperia

Transconductancia directa - Mín .:

1.6 S

Otoño:

31 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

4 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

4000

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

86 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

6 ns

Unidad de peso:

0.000099 oz

Tags

PMDT290UN, PMDT2, PMDT, PMD