GS8161Z18DGD-150V

GS8161Z18DGD-150V
Mfr. #:
GS8161Z18DGD-150V
Fabricante:
GSI Technology
Descripción:
SRAM 1.8/2.5V 1M x 18 18M
Ciclo vital:
Nuevo de este fabricante.
Ficha de datos:
GS8161Z18DGD-150V Ficha de datos
Entrega:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Pago:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
Más información:
GS8161Z18DGD-150V más información
Atributo del producto
Valor de atributo
Fabricante:
Tecnología GSI
Categoria de producto:
SRAM
RoHS:
Y
Tamaño de la memoria:
18 Mbit
Organización:
1 M x 18
Tiempo de acceso:
7.5 ns
Frecuencia máxima de reloj:
150 MHz
Tipo de interfaz:
Parallel
Voltaje de suministro - Máx:
2.7 V
Voltaje de suministro - Min:
1.7 V
Corriente de suministro - Máx .:
160 mA, 180 mA
Temperatura mínima de funcionamiento:
0 C
Temperatura máxima de funcionamiento:
+ 70 C
Estilo de montaje:
SMD / SMT
Paquete / Caja:
BGA-165
Embalaje:
Bandeja
Tipo de memoria:
SDR
Serie:
GS8161Z18DGD
Escribe:
NBT
Marca:
Tecnología GSI
Sensible a la humedad:
Yes
Tipo de producto:
SRAM
Cantidad de paquete de fábrica:
18
Subcategoría:
Memoria y almacenamiento de datos
Nombre comercial:
NBT SRAM
Tags
GS8161Z18DGD-1, GS8161Z18DGD, GS8161Z18DG, GS8161Z18D, GS8161Z1, GS8161Z, GS8161, GS816, GS81, GS8
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Step1: Vacuum Packaging with PL
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Vacuum Packaging with PL
Step2: Anti-Static Bag
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Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
***et
SRAM Chip Sync Dual 1.8V/2.5V 18M-Bit 1M x 18 7.5ns/3.8ns 165-Pin FBGA
NBT SRAMs
GSI Technology NBT SRAMs are 144Mbit and 288Mbit Synchronous Static SRAMs that allow utilization of all available bus bandwidth. The SRAMs achieve this by eliminating the need to insert deselect cycles when the device is switched from read to write cycles. The devices' simplified interface is designed to use a data bus's maximum bandwidth. Because it is a synchronous device, address, data inputs, and read/write control inputs are captured on the rising edge of the input clock. 
Imagen Parte # Descripción
GS8161Z18DGT-200I

Mfr.#: GS8161Z18DGT-200I

OMO.#: OMO-GS8161Z18DGT-200I

SRAM 2.5 or 3.3V 1M x 18 18M
GS8161Z18DGD-250

Mfr.#: GS8161Z18DGD-250

OMO.#: OMO-GS8161Z18DGD-250

SRAM 2.5 or 3.3V 1M x 18 18M
GS8161Z18DGD-333V

Mfr.#: GS8161Z18DGD-333V

OMO.#: OMO-GS8161Z18DGD-333V

SRAM 1.8/2.5V 1M x 18 18M
GS8161Z18DGT-333IV

Mfr.#: GS8161Z18DGT-333IV

OMO.#: OMO-GS8161Z18DGT-333IV

SRAM 1.8/2.5V 1M x 18 18M
GS8161Z18DD-150V

Mfr.#: GS8161Z18DD-150V

OMO.#: OMO-GS8161Z18DD-150V

SRAM 1.8/2.5V 1M x 18 18M
GS8161Z18DD-333V

Mfr.#: GS8161Z18DD-333V

OMO.#: OMO-GS8161Z18DD-333V

SRAM 1.8/2.5V 1M x 18 18M
GS8161Z18DGT-333I

Mfr.#: GS8161Z18DGT-333I

OMO.#: OMO-GS8161Z18DGT-333I

SRAM 2.5 or 3.3V 1M x 18 18M
GS8161Z18DGD-333I

Mfr.#: GS8161Z18DGD-333I

OMO.#: OMO-GS8161Z18DGD-333I

SRAM 2.5 or 3.3V 1M x 18 18M
GS8161Z18DD-333I

Mfr.#: GS8161Z18DD-333I

OMO.#: OMO-GS8161Z18DD-333I

SRAM 2.5 or 3.3V 1M x 18 18M
GS8161Z18DGD-400

Mfr.#: GS8161Z18DGD-400

OMO.#: OMO-GS8161Z18DGD-400

SRAM 2.5 or 3.3V 1M x 18 18M
Disponibilidad
Valores:
Available
En orden:
1500
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Precio de referencia (USD)
Cantidad
Precio unitario
Ext. Precio
1
24,00 US$
24,00 US$
25
22,29 US$
557,25 US$
Debido a la escasez de semiconductores a partir de 2021, el precio inferior es el precio normal antes de 2021. Envíe una consulta para confirmar.
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