IGT60R190D1SATMA1

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Infineon

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

GaN

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

PG-HSOF-8

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

600 V

Id - Corriente de drenaje continua:

12.5 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

190 mOhms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

0.9 V

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

10 V

Qg - Carga de puerta:

3.2 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

55.5 W

Configuración:

Único

Modo de canal:

Mejora

Nombre comercial:

CoolGaN

Embalaje:

Carrete

Tipo de transistor:

1 N-Channel

Marca:

Infineon Technologies

Otoño:

12 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

5 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

2000

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

12 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

11 ns

Parte # Alias:

SP001701702

Tags

IGT60, IGT6, IGT