NTUD3129PT5G

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

EN Semiconductor

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

SOT-963-6

Número de canales:

2 Channel

Polaridad del transistor:

P-Channel

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

20 V

Id - Corriente de drenaje continua:

140 mA

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

5 Ohms

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

8 V

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

125 mW

Configuración:

Doble

Modo de canal:

Mejora

Embalaje:

Carrete

Altura:

0.37 mm

Longitud:

1 mm

Producto:

Pequeña señal MOSFET

Tipo de transistor:

2 P-Channel

Ancho:

0.8 mm

Marca:

EN Semiconductor

Otoño:

37 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

37 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

8000

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

112 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

20 ns

Tags

NTUD3129, NTUD312, NTUD3, NTUD, NTU