NTUD3127CT5G

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

EN Semiconductor

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

SOT-963-6

Número de canales:

2 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N, canal P

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

20 V

Id - Corriente de drenaje continua:

200 mA

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

3 mOhms, 5 mOhms

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

8 V

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

125 mW

Configuración:

Doble

Modo de canal:

Mejora

Embalaje:

Carrete

Altura:

0.37 mm

Longitud:

1 mm

Producto:

Pequeña señal MOSFET

Tipo de transistor:

1 N-Channel, 1 P-Channel

Ancho:

0.8 mm

Marca:

EN Semiconductor

Transconductancia directa - Mín .:

350 mS, 260 mS

Otoño:

60 nS, 97 nS

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

24 nS, 37 nS

Cantidad de paquete de fábrica:

8000

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

90 nS, 112 nS

Tiempo típico de retardo de encendido:

15 nS, 20 nS

Tags

NTUD312, NTUD3, NTUD, NTU