NTUD3169CZT5G

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

EN Semiconductor

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

SOT-963-6

Número de canales:

2 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N, canal P

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

20 V

Id - Corriente de drenaje continua:

280 mA, 200 mA

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

1.5 Ohms, 10 Ohms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

400 mV

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

4.5 V, - 1.5 V

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

200 mW

Configuración:

Doble

Modo de canal:

Mejora

Embalaje:

Carrete

Altura:

0.37 mm

Longitud:

1 mm

Producto:

Pequeña señal MOSFET

Serie:

NTUD3169CZ

Tipo de transistor:

1 N-Channel, 1 P-Channel

Escribe:

MOSFET de pequeña señal

Ancho:

0.8 mm

Marca:

EN Semiconductor

Transconductancia directa - Mín .:

0.48 S, 0.35 S

Otoño:

80 ns, 145 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

25.5 ns, 46 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

8000

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

142 ns, 196 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

16.5 ns, 26 ns

Unidad de peso:

0.000042 oz

Tags

NTUD3169CZT, NTUD316, NTUD3, NTUD, NTU