TK12E80W,S1X

TK12E80W,S1X
Mfr. #:
TK12E80W,S1X
Fabricante:
Toshiba
Descripción:
MOSFET N-Ch 800V 1400pF 23nC 11.5A 165W
Ciclo vital:
Nuevo de este fabricante.
Ficha de datos:
TK12E80W,S1X Ficha de datos
Entrega:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Pago:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
HTML Datasheet:
TK12E80W,S1X DatasheetTK12E80W,S1X Datasheet (P4-P6)TK12E80W,S1X Datasheet (P7-P9)TK12E80W,S1X Datasheet (P10)
ECAD Model:
Más información:
TK12E80W,S1X más información
Atributo del producto
Valor de atributo
Fabricante:
Toshiba
Categoria de producto:
MOSFET
RoHS:
Y
Tecnología:
Si
Estilo de montaje:
A través del orificio
Paquete / Caja:
TO-220-3
Número de canales:
1 Channel
Polaridad del transistor:
Canal N
Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:
800 V
Id - Corriente de drenaje continua:
11.5 A
Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:
380 mOhms
Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:
3 V
Vgs - Voltaje puerta-fuente:
20 V
Qg - Carga de puerta:
23 nC
Temperatura máxima de funcionamiento:
+ 150 C
Pd - Disipación de energía:
165 W
Configuración:
Único
Modo de canal:
Mejora
Nombre comercial:
DTMOSIV
Serie:
TK12E80W
Tipo de transistor:
1 N-Channel
Marca:
Toshiba
Otoño:
11 ns
Tipo de producto:
MOSFET
Hora de levantarse:
40 ns
Cantidad de paquete de fábrica:
50
Subcategoría:
MOSFET
Tiempo de retardo de apagado típico:
130 ns
Tiempo típico de retardo de encendido:
70 ns
Unidad de peso:
0.063493 oz
Tags
TK12E8, TK12E, TK12, TK1
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Step1: Vacuum Packaging with PL
Step1:
Vacuum Packaging with PL
Step2: Anti-Static Bag
Step2:
Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
***roFlash
X35 Pb-f Power Mosfet Transistor TO-220SIS PD=45W F=1MHZ
***ical
Trans MOSFET N-CH Si 800V 11.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
***i-Key
MOSFET N-CH 800V 11.5A TO220
***
PWR MOS TRANS TO-220AB(OS)
Gen-4 Super Junction DTMOS MOSFETs
Toshiba Gen-4 Super-Junction DTMOSIV MOSFETs use the state-of-the-art single epitaxial process, DTMOSIV which provides a 30% reduction in RDS(on), a figure of merit (FOM) for MOSFETs, compared to its predecessor, DTMOSIII. With a reduction in the RDS(on) it makes it possible to house lower RDS(on) chips in the same packages. This helps to improve the efficiency and reduce the size of power supplies. These devices are ideal for use with switching regulators.
Imagen Parte # Descripción
TLV07IDR

Mfr.#: TLV07IDR

OMO.#: OMO-TLV07IDR

Operational Amplifiers - Op Amps 36V CMOS OP AMP
LM329BZ#PBF

Mfr.#: LM329BZ#PBF

OMO.#: OMO-LM329BZ-PBF

Voltage References Prec Volt Ref 20ppm/C 6.9V
TS12A4516DBVR

Mfr.#: TS12A4516DBVR

OMO.#: OMO-TS12A4516DBVR

Analog Switch ICs Lo-Vltg,Lo On-St Res SPST CMOS Ana Sw
FA20NP02J223JNU06

Mfr.#: FA20NP02J223JNU06

OMO.#: OMO-FA20NP02J223JNU06

Multilayer Ceramic Capacitors MLCC - Leaded 630V 0.022uF NP0 5% RAD LS:5mm AEC-Q200
1141

Mfr.#: 1141

OMO.#: OMO-1141

Lamps S-8 INCND S.C.BAY BASE LP
1431

Mfr.#: 1431

OMO.#: OMO-1431

Display Development Tools OLED Breakout Board w/microSD holder
1141

Mfr.#: 1141

OMO.#: OMO-1141-ADAFRUIT

Lamps S-8 INCND S.C.BAY BASE LP
MKS0C032200C00KSSD

Mfr.#: MKS0C032200C00KSSD

OMO.#: OMO-MKS0C032200C00KSSD-428

Cap Film 0.22uF 63V PET 10% (4.6 X 3 X 7.5mm) Radial 2.5mm 100C Bulk
1431

Mfr.#: 1431

OMO.#: OMO-1431-ADAFRUIT

TUBING, SPLIT LOOM, 12.523MM, GREY, 100FT, Sleeving / Tubing Type:Split Corrugated Loom, Sleeving Material:PE (Polyethylene), Sleeving Colour:Grey, Internal Diameter:12.523mm, Length - Metric:30.
B32672P4205K000

Mfr.#: B32672P4205K000

OMO.#: OMO-B32672P4205K000-EPCOS

Film Capacitors 2.0uF 450volts 10% LS=15mm MKP
Disponibilidad
Valores:
281
En orden:
2264
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Precio de referencia (USD)
Cantidad
Precio unitario
Ext. Precio
1
3,31 US$
3,31 US$
10
2,66 US$
26,60 US$
100
2,42 US$
242,00 US$
250
2,19 US$
547,50 US$
500
1,96 US$
980,00 US$
1000
1,66 US$
1 660,00 US$
2500
1,57 US$
3 925,00 US$
5000
1,52 US$
7 600,00 US$
Debido a la escasez de semiconductores a partir de 2021, el precio inferior es el precio normal antes de 2021. Envíe una consulta para confirmar.
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