IRF630NSTRRPBF

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Infineon

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

TO-252-3

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

200 V

Id - Corriente de drenaje continua:

9.5 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

300 mOhms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

4 V

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

20 V

Qg - Carga de puerta:

23.3 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 175 C

Pd - Disipación de energía:

82 W

Configuración:

Único

Modo de canal:

Mejora

Embalaje:

Carrete

Altura:

2.3 mm

Longitud:

6.5 mm

Tipo de transistor:

1 N-Channel

Escribe:

MOSFET de potencia HEXFET

Ancho:

6.22 mm

Marca:

Infineon / IR

Transconductancia directa - Mín .:

4.9 S

Otoño:

15 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

14 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

800

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

27 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

7.9 ns

Parte # Alias:

SP001561818

Unidad de peso:

0.139332 oz

Tags

IRF630NST, IRF630NS, IRF630N, IRF630, IRF63, IRF6, IRF