IRF630NLPBF

IRF630NLPBF
Mfr. #:
IRF630NLPBF
Fabricante:
Infineon / IR
Descripción:
MOSFET MOSFT 200V 9.5A 300mOhm 23.3nC
Ciclo vital:
Nuevo de este fabricante.
Ficha de datos:
IRF630NLPBF Ficha de datos
Entrega:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Pago:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
HTML Datasheet:
IRF630NLPBF DatasheetIRF630NLPBF Datasheet (P4-P6)IRF630NLPBF Datasheet (P7-P9)IRF630NLPBF Datasheet (P10-P11)
ECAD Model:
Atributo del producto
Valor de atributo
Fabricante:
Infineon
Categoria de producto:
MOSFET
RoHS:
Y
Tecnología:
Si
Estilo de montaje:
A través del orificio
Paquete / Caja:
TO-262-3
Número de canales:
1 Channel
Polaridad del transistor:
Canal N
Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:
200 V
Id - Corriente de drenaje continua:
9.3 A
Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:
300 mOhms
Vgs - Voltaje puerta-fuente:
20 V
Qg - Carga de puerta:
23.3 nC
Temperatura mínima de funcionamiento:
- 55 C
Temperatura máxima de funcionamiento:
+ 175 C
Pd - Disipación de energía:
82 W
Configuración:
Único
Modo de canal:
Mejora
Embalaje:
Tubo
Altura:
9.45 mm
Longitud:
10.2 mm
Tipo de transistor:
1 N-Channel
Ancho:
4.5 mm
Marca:
Infineon / IR
Transconductancia directa - Mín .:
4.9 S
Otoño:
15 ns
Tipo de producto:
MOSFET
Hora de levantarse:
14 ns
Cantidad de paquete de fábrica:
50
Subcategoría:
MOSFET
Tiempo de retardo de apagado típico:
27 ns
Tiempo típico de retardo de encendido:
7.9 ns
Parte # Alias:
SP001559690
Unidad de peso:
0.084199 oz
Tags
IRF630N, IRF630, IRF63, IRF6, IRF
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Step1: Vacuum Packaging with PL
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Vacuum Packaging with PL
Step2: Anti-Static Bag
Step2:
Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
***ernational Rectifier
200V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-262 package
***et
Trans MOSFET N-CH 200V 9.3A 3-Pin(3+Tab) TO-262
***ied Electronics & Automation
MOSFET, 200V, 9.5A, 300 MOHM, 23.3 NC QG, TO-262
***i-Key
MOSFET N-CH 200V 9.3A TO-262
***ark
MOSFET; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N Channel; Drain Source Voltage, Vds:200V; Continuous Drain Current, Id:9.5A; On Resistance, Rds(on):300mohm; Rds(on) Test Voltage, Vgs:10V; Package/Case:TO-262 ;RoHS Compliant: Yes
Parte # Mfg. Descripción Valores Precio
IRF630NLPBF
DISTI # IRF630NLPBF-ND
Infineon Technologies AGMOSFET N-CH 200V 9.3A TO-262
RoHS: Compliant
Min Qty: 600
Container: Tube
Limited Supply - Call
    IRF630NLPBF
    DISTI # 70018226
    Infineon Technologies AGMOSFET,200V,9.5A,300 MOHM,23.3 NC QG,TO-262
    RoHS: Compliant
    0
    • 600:$1.8300
    • 1200:$1.7930
    • 3000:$1.7390
    • 6000:$1.6650
    • 15000:$1.5560
    IRF630NLPBF
    DISTI # 942-IRF630NLPBF
    Infineon Technologies AGMOSFET MOSFT 200V 9.5A 300mOhm 23.3nC
    RoHS: Compliant
    0
      Imagen Parte # Descripción
      IRF634L

      Mfr.#: IRF634L

      OMO.#: OMO-IRF634L-VISHAY

      MOSFET N-CH 250V 8.1A TO-262
      IRF634NL

      Mfr.#: IRF634NL

      OMO.#: OMO-IRF634NL-1190

      Nuevo y original
      IRF630B/A

      Mfr.#: IRF630B/A

      OMO.#: OMO-IRF630B-A-1190

      Nuevo y original
      IRF630BTSTU_FP001

      Mfr.#: IRF630BTSTU_FP001

      OMO.#: OMO-IRF630BTSTU-FP001-ON-SEMICONDUCTOR

      MOSFET N-CH 200V 9A TO-220
      IRF630N

      Mfr.#: IRF630N

      OMO.#: OMO-IRF630N-1190

      MOSFET N-CHANNEL 200V 9.3A TO220AB, EA
      IRF633

      Mfr.#: IRF633

      OMO.#: OMO-IRF633-1190

      Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 150V, 0.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
      IRF634B,IRF634FP,IRF640,

      Mfr.#: IRF634B,IRF634FP,IRF640,

      OMO.#: OMO-IRF634B-IRF634FP-IRF640--1190

      Nuevo y original
      IRF634N

      Mfr.#: IRF634N

      OMO.#: OMO-IRF634N-1190

      MOSFET N-Chan 250V 8.0 Amp
      IRF630NLPBF

      Mfr.#: IRF630NLPBF

      OMO.#: OMO-IRF630NLPBF-INFINEON-TECHNOLOGIES

      IGBT Transistors MOSFET MOSFT 200V 9.5A 300mOhm 23.3nC
      IRF634

      Mfr.#: IRF634

      OMO.#: OMO-IRF634-STMICROELECTRONICS

      MOSFET N-Chan 250V 8.0 Amp
      Disponibilidad
      Valores:
      Available
      En orden:
      4000
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