SIZ346DT-T1-GE3

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Vishay

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

PowerPAIR-3x3-8

Número de canales:

2 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

30 V

Id - Corriente de drenaje continua:

17 A, 30 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

11.5 mOhms, 28.5 mOhms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

2.2 V, 2.4 V

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

- 16 V, 20 V

Qg - Carga de puerta:

6.6 nC, 10 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

16 W, 16.7 W

Configuración:

Doble

Modo de canal:

Mejora

Nombre comercial:

TrenchFET

Embalaje:

Carrete

Serie:

TAMAÑO

Tipo de transistor:

2 N-Channel

Marca:

Vishay / Siliconix

Transconductancia directa - Mín .:

17 S

Otoño:

7 ns, 8 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

15 ns, 40 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

3000

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

7 ns, 17 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

7 ns, 8 ns

Tags

SIZ34, SiZ3, SiZ