SI4931DY-T1-GE3

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Vishay

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

E

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

SO-8

Número de canales:

2 Channel

Polaridad del transistor:

P-Channel

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

12 V

Id - Corriente de drenaje continua:

8.9 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

18 mOhms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

400 mV

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

8 V

Qg - Carga de puerta:

52 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

2 W

Configuración:

Doble

Modo de canal:

Mejora

Nombre comercial:

TrenchFET

Embalaje:

Carrete

Altura:

1.75 mm

Longitud:

4.9 mm

Serie:

SI4

Tipo de transistor:

2 P-Channel

Ancho:

3.9 mm

Marca:

Vishay / Siliconix

Transconductancia directa - Mín .:

26 S

Otoño:

155 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

46 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

2500

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

230 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

25 ns

Parte # Alias:

SI4931DY-GE3

Unidad de peso:

0.006596 oz

Tags

SI4931DY-T, SI4931, SI493, SI49, SI4