CSD13381F4

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Instrumentos Texas

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

PICOSTAR-3

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

12 V

Id - Corriente de drenaje continua:

2.1 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

180 mOhms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

650 mV

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

4.5 V

Qg - Carga de puerta:

1060 pC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

500 mW (1/2 W)

Configuración:

Único

Modo de canal:

Mejora

Nombre comercial:

NexFET

Embalaje:

Carrete

Altura:

0.35 mm

Longitud:

1 mm

Serie:

CSD13381F4

Tipo de transistor:

1 N-Channel FemtoFET MOSFET

Ancho:

0.64 mm

Marca:

Instrumentos Texas

Otoño:

3.8 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

1.5 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

3000

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

11 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

3.7 ns

Unidad de peso:

0.000014 oz

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