CSD17585F5

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Instrumentos Texas

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

PICOSTAR-3

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

30 V

Id - Corriente de drenaje continua:

5.9 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

27 mOhms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

900 mV

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

20 V

Qg - Carga de puerta:

5.1 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

1.4 W

Configuración:

Único

Modo de canal:

Mejora

Embalaje:

Carrete

Altura:

0.35 mm

Longitud:

1.53 mm

Serie:

CSD17585F5

Tipo de transistor:

1 N-Channel

Ancho:

0.77 mm

Marca:

Instrumentos Texas

Transconductancia directa - Mín .:

7 S

Otoño:

11 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

4 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

3000

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

31 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

4 ns

Unidad de peso:

0.000025 oz

Tags

CSD17585, CSD1758, CSD175, CSD17, CSD1, CSD