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RGT8BM65D

RGT8BM65D
Mfr. #:
RGT8BM65D
Fabricante:
Rohm Semiconductor
Descripción:
Insulated Gate Bipolar Transistor, 8A I(C), 650V V(BR)CES, N-Channel, TO-252
Ciclo vital:
Nuevo de este fabricante.
Ficha de datos:
RGT8BM65D Ficha de datos
Entrega:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Pago:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
Atributo del producto
Valor de atributo
Fabricante
Semiconductor Rohm
categoria de producto
IGBTs - Single
Serie
RGT8BM65D
embalaje
Embalaje alternativo de Digi-ReelR
Unidad de peso
0.139332 oz
Estilo de montaje
SMD / SMT
Paquete-Estuche
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Tipo de entrada
Estándar
Tipo de montaje
Montaje superficial
Paquete de dispositivo de proveedor
TO-252
Potencia máxima
62W
Tiempo de recuperación inverso trr
40ns
Colector-corriente-Ic-Max
8A
Voltaje-Colector-Emisor-Ruptura-Máx.
650V
Tipo IGBT
Parada de campo de trinchera
Colector de corriente pulsado Icm
12A
Vce-en-Max-Vge-Ic
2.1V @ 15V, 4A
Energía de conmutación
-
Gate-Charge
13.5nC
Td-encendido-apagado-25 ° C
17ns/69ns
Condición de prueba
400V, 4A, 50 Ohm, 15V
Disipación de potencia Pd
62 W
Temperatura máxima de funcionamiento
+ 175 C
Temperatura mínima de funcionamiento
- 40 C
Colector-Emisor-Voltaje-VCEO-Max
650 V
Colector-Emisor-Saturación-Voltaje
1.65 V
Corriente-de-colector-continuo-a-25-C
8 A
Puerta-Emisor-Fuga-Corriente
+/- 200 nA
Voltaje máximo del emisor de puerta
+/- 30 V
Colector-continuo-Corriente-Ic-Max
8 A
Tags
RGT8, RGT
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Step1: Vacuum Packaging with PL
Step1:
Vacuum Packaging with PL
Step2: Anti-Static Bag
Step2:
Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
Parte # Mfg. Descripción Valores Precio
RGT8BM65DTL
DISTI # RGT8BM65DTLTR-ND		ROHM SemiconductorIGBT 650V 8A 62W TO-252
RoHS: Compliant
Min Qty: 2500
Container: Tape & Reel (TR)		Temporarily Out of Stock
  • 2500:$0.8680
RGT8BM65DTL
DISTI # RGT8BM65DTLCT-ND		ROHM SemiconductorIGBT 650V 8A 62W TO-252
RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Cut Tape (CT)		Temporarily Out of Stock
  • 1000:$0.9260
  • 500:$1.1176
  • 250:$1.2772
  • 100:$1.3602
  • 25:$1.5964
  • 10:$1.6920
  • 1:$1.8800
RGT8BM65DTL
DISTI # RGT8BM65DTLDKR-ND		ROHM SemiconductorIGBT 650V 8A 62W TO-252
RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Digi-Reel®		Temporarily Out of Stock
  • 1000:$0.9260
  • 500:$1.1176
  • 250:$1.2772
  • 100:$1.3602
  • 25:$1.5964
  • 10:$1.6920
  • 1:$1.8800
RGT8BM65DTL
DISTI # RGT8BM65DTL		ROHM SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 8A 3-Pin TO-252 T/R - Tape and Reel (Alt: RGT8BM65DTL)
RoHS: Compliant
Min Qty: 2500
Container: Reel		Americas - 0
  • 25000:$0.4479
  • 15000:$0.4599
  • 10000:$0.4869
  • 5000:$0.5169
  • 2500:$0.5519
RGT8BM65DTL
DISTI # RGT8BM65DTL		ROHM SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 8A 3-Pin TO-252 T/R (Alt: RGT8BM65DTL)
RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Tape and Reel		Europe - 0
  • 1000:€0.4779
  • 500:€0.5149
  • 100:€0.5579
  • 50:€0.6079
  • 25:€0.6689
  • 10:€0.7439
  • 1:€0.8369
RGT8BM65DTL
DISTI # 755-RGT8BM65DTL		ROHM SemiconductorIGBT Transistors 650V 4A IGBT Stop Trench
RoHS: Compliant		1400
  • 1:$1.8300
  • 10:$1.5500
  • 100:$1.2400
  • 500:$1.0900
  • 1000:$0.8990
  • 2500:$0.8380
  • 5000:$0.8070
  • 10000:$0.7750
RGT8BM65DTL
DISTI # 2519785		ROHM SemiconductorIGBT, SINGLE, 650V, 8A, TO-252-3
RoHS: Compliant		0
  • 1000:$1.4000
  • 500:$1.6900
  • 250:$1.9300
  • 100:$2.0500
  • 25:$2.4100
  • 10:$2.5500
  • 1:$2.8300
RGT8BM65DROHM SemiconductorInsulated Gate Bipolar Transistor, 8A I(C), 650V V(BR)CES, N-Channel, TO-252
RoHS: Compliant		4560
    RGT8BM65DTL
    DISTI # IGBT1479    		ROHM SemiconductorIGBT650V8A30VDPack
    RoHS: Compliant    		Stock DE - 0Stock HK - 0Stock US - 0
    • 2500:$0.7132
    • 5000:$0.6694
    • 7500:$0.6474
    RGT8BM65DTLROHM Semiconductor 2500
    • 1:¥14.2929
    • 100:¥8.1041
    • 1250:¥5.1380
    • 2500:¥3.8278
    RGT8BM65DTLROHM SemiconductorIGBT Transistors 650V 4A IGBT Stop Trench
    RoHS: Compliant    		Americas -
      Imagen Parte # Descripción
      RGT8NL65DGTL

      Mfr.#: RGT8NL65DGTL

      OMO.#: OMO-RGT8NL65DGTL

      		 IGBT Transistors FIELD STOP TRENCH IGBT
      RGT8NS65DGC9

      Mfr.#: RGT8NS65DGC9

      OMO.#: OMO-RGT8NS65DGC9

      		 IGBT Transistors IGBT HIGH VOLT AND CURRENT AP
      RGT8BM65DTL

      Mfr.#: RGT8BM65DTL

      OMO.#: OMO-RGT8BM65DTL

      		 IGBT Transistors 650V 4A IGBT Stop Trench
      RGT8NS65DGTL

      Mfr.#: RGT8NS65DGTL

      OMO.#: OMO-RGT8NS65DGTL

      		 IGBT Transistors 650V 4A IGBT Stop Trench
      RGT8TM65DGC9

      Mfr.#: RGT8TM65DGC9

      OMO.#: OMO-RGT8TM65DGC9

      		 IGBT Transistors FIELD STOP TRENCH IGBT
      RGT80TS65DGC11

      Mfr.#: RGT80TS65DGC11

      OMO.#: OMO-RGT80TS65DGC11-ROHM-SEMI

      		 IGBT Transistors 650V 40A Field Stop Trench IGBT
      RGT8NS65DGTL

      Mfr.#: RGT8NS65DGTL

      OMO.#: OMO-RGT8NS65DGTL-ROHM-SEMI

      		 IGBT Transistors 650V 4A Field Stop Trench IGBT
      RGT8BM65DTL

      Mfr.#: RGT8BM65DTL

      OMO.#: OMO-RGT8BM65DTL-ROHM-SEMI

      		 IGBT Transistors 650V 4A Field Stop Trench IGBT
      RGT80TS65DGC11/TO247NNP

      Mfr.#: RGT80TS65DGC11/TO247NNP

      OMO.#: OMO-RGT80TS65DGC11-TO247NNP-1190

      		 Nuevo y original
      RGT8BM65D

      Mfr.#: RGT8BM65D

      OMO.#: OMO-RGT8BM65D-1190

      		 Insulated Gate Bipolar Transistor, 8A I(C), 650V V(BR)CES, N-Channel, TO-252
      Disponibilidad
      Valores:
      Available
      En orden:
      4000
      Ingrese la cantidad:
      El precio actual de RGT8BM65D es solo de referencia, si desea obtener el mejor precio, envíe una consulta o envíe un correo electrónico directo a nuestro equipo de ventas [email protected]
      Precio de referencia (USD)
      Cantidad
      Precio unitario
      Ext. Precio
      1
      0,00 US$
      0,00 US$
      10
      0,00 US$
      0,00 US$
      100
      0,00 US$
      0,00 US$
      500
      0,00 US$
      0,00 US$
      1000
      0,00 US$
      0,00 US$
      Debido a la escasez de semiconductores a partir de 2021, el precio inferior es el precio normal antes de 2021. Envíe una consulta para confirmar.
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