Jan2N3501L/TR

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Pastilla

Categoria de producto:

Transistores bipolares - BJT

RoHS:

N

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

A través del orificio

Paquete / Caja:

TO-5-3

Polaridad del transistor:

NPN

Configuración:

Único

Voltaje colector-emisor VCEO Max:

150 V

Colector- Voltaje base VCBO:

150 V

Emisor- Voltaje base VEBO:

6 V

Voltaje de saturación colector-emisor:

0.4 V

Corriente máxima del colector de CC:

300 mA

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 65 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 200 C

Ganancia de corriente CC hFE Max:

300 at 150 mA, 10 V

Marca:

Microchip / Microsemi

Colector de CC / Ganancia base hfe Min:

20 at 300 mA, 10 V

Pd - Disipación de energía:

1 W

Tipo de producto:

BJT - Transistores bipolares

Cantidad de paquete de fábrica:

1

Subcategoría:

Transistores

Tags

Jan2N3501, Jan2N350, Jan2N35, Jan2N3, Jan2N, Jan2, JAN