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GB02SHT06-46

GB02SHT06-46
Mfr. #:
GB02SHT06-46
Fabricante:
GeneSiC Semiconductor
Descripción:
Schottky Diodes & Rectifiers SiC Schottky Diode
Ciclo vital:
Nuevo de este fabricante.
Ficha de datos:
GB02SHT06-46 Ficha de datos
Entrega:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Pago:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
Más información:
GB02SHT06-46 más información
Atributo del producto
Valor de atributo
Fabricante
Semiconductor GeneSiC
categoria de producto
Diodos, rectificadores - simple
Serie
-
Producto
Diodos Schottky
embalaje
A granel
Estilo de montaje
A través del orificio
Paquete-Estuche
TO-206AB, TO-46-3 Metal Can
Tecnología
Sic
Tipo de montaje
A través del orificio
Paquete de dispositivo de proveedor
TO-46
Configuración
Único
Velocidad
No Recovery Time > 500mA (Io)
Tipo de diodo
Carburo de silicio Schottky
Corriente-fuga-inversa-Vr
5μA @ 600V
Voltaje-Forward-Vf-Max-If
1.6V @ 1A
Voltaje-DC-Reverse-Vr-Max
600V
Actual-Promedio-Rectificado-Io
4A (DC)
Tiempo de recuperación inverso trr
0ns
Capacitancia-Vr-F
76pF @ 1V, 1MHz
Unión de temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 225°C
Disipación de potencia Pd
64 W
Temperatura máxima de funcionamiento
+ 225 C
Temperatura mínima de funcionamiento
- 55 C
Vf-Tensión directa
1.6 V
Ir-Corriente inversa
1 uA
If-Forward-Current
4 A
Vrrm-Tensión-inversa-repetitiva
600 V
Ifsm-Forward-Surge-Current
10 A
Tags
GB02SH, GB02S, GB02, GB0
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Step1: Vacuum Packaging with PL
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Vacuum Packaging with PL
Step2: Anti-Static Bag
Step2:
Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
***ark
Sic Schottky Diode, 4A, 600V, To-206Ab
High-Temperature SiC Transistors and Rectifiers
GeneSiC Semiconductor High-Temperature SiC Transistors and Rectifiers are compact, high-temperature SiC Junction Transistors (SJTs) and rectifiers in a TO-46 package. These discrete components are designed to operate at temperatures of over 225°C. The use of high voltage, low RDS(ON) SiC Transistors and Rectifiers will reduce the size and weight of electronics applications requiring higher power handling at elevated temperatures.Learn More
Parte # Mfg. Descripción Valores Precio
GB02SHT06-46
DISTI # 1242-1256-ND		GeneSic Semiconductor IncDIODE SCHOTTKY 600V 4A
RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Bulk		43In Stock
  • 100:$45.7049
  • 10:$52.7130
  • 1:$56.3700
GB02SHT06-46
DISTI # 905-GB02SHT06-46		GeneSic Semiconductor IncSchottky Diodes & Rectifiers SiC Schottky Diode
RoHS: Compliant		43
  • 1:$52.6400
  • 5:$51.1700
  • 10:$49.0600
  • 25:$45.5200
  • 50:$44.9500
  • 100:$42.6800
Imagen Parte # Descripción
GB02SHT01-46

Mfr.#: GB02SHT01-46

OMO.#: OMO-GB02SHT01-46

 Schottky Diodes & Rectifiers SiC Schottky Diode
GB02SHT03-46

Mfr.#: GB02SHT03-46

OMO.#: OMO-GB02SHT03-46

 Schottky Diodes & Rectifiers SiC Schottky Diode
GB02SHT06-46

Mfr.#: GB02SHT06-46

OMO.#: OMO-GB02SHT06-46

 Schottky Diodes & Rectifiers SiC Schottky Diode
GB02SHT03-46

Mfr.#: GB02SHT03-46

OMO.#: OMO-GB02SHT03-46-GENESIC-SEMICONDUCTOR

 Schottky Diodes & Rectifiers SiC Schottky Diode
GB02SHT06-46

Mfr.#: GB02SHT06-46

OMO.#: OMO-GB02SHT06-46-GENESIC-SEMICONDUCTOR

 Schottky Diodes & Rectifiers SiC Schottky Diode
GB02SHT01-46

Mfr.#: GB02SHT01-46

OMO.#: OMO-GB02SHT01-46-GENESIC-SEMICONDUCTOR

 Schottky Diodes & Rectifiers SiC Schottky Diode
Disponibilidad
Valores:
Available
En orden:
5000
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El precio actual de GB02SHT06-46 es solo de referencia, si desea obtener el mejor precio, envíe una consulta o envíe un correo electrónico directo a nuestro equipo de ventas [email protected]
Precio de referencia (USD)
Cantidad
Precio unitario
Ext. Precio
1
64,02 US$
64,02 US$
10
60,82 US$
608,19 US$
100
57,62 US$
5 761,80 US$
500
54,42 US$
27 208,50 US$
1000
51,22 US$
51 216,00 US$
Debido a la escasez de semiconductores a partir de 2021, el precio inferior es el precio normal antes de 2021. Envíe una consulta para confirmar.
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