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GB02SHT01-46

GB02SHT01-46
Mfr. #:
GB02SHT01-46
Fabricante:
GeneSiC Semiconductor
Descripción:
Schottky Diodes & Rectifiers SiC Schottky Diode
Ciclo vital:
Nuevo de este fabricante.
Ficha de datos:
GB02SHT01-46 Ficha de datos
Entrega:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Pago:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
Más información:
GB02SHT01-46 más información
Atributo del producto
Valor de atributo
Fabricante:
Semiconductor GeneSiC
Categoria de producto:
Diodos y rectificadores Schottky
RoHS:
Y
Producto:
Diodos de carburo de silicio Schottky
Estilo de montaje:
A través del orificio
Paquete / Caja:
TO-46-2
Si - Corriente directa:
4 A
Vrrm - Voltaje inverso repetitivo:
100 V
Vf - Voltaje directo:
1.6 V
Ifsm - Corriente de sobretensión directa:
10 A
Configuración:
Único
Tecnología:
Sic
Ir - Corriente inversa:
1 uA
Temperatura mínima de funcionamiento:
- 55 C
Temperatura máxima de funcionamiento:
+ 225 C
Embalaje:
A granel
Rango de temperatura de funcionamiento:
- 55 C to + 225 C
Marca:
Semiconductor GeneSiC
Pd - Disipación de energía:
64 W
Tipo de producto:
Diodos y rectificadores Schottky
Cantidad de paquete de fábrica:
50
Subcategoría:
Diodes & Rectifiers
Tags
GB02SH, GB02S, GB02, GB0
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Step1: Vacuum Packaging with PL
Step1:
Vacuum Packaging with PL
Step2: Anti-Static Bag
Step2:
Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
***ark
Sic Schottky Diode, 4A, 100V, To-206Ab
High-Temperature SiC Transistors and Rectifiers
GeneSiC Semiconductor High-Temperature SiC Transistors and Rectifiers are compact, high-temperature SiC Junction Transistors (SJTs) and rectifiers in a TO-46 package. These discrete components are designed to operate at temperatures of over 225°C. The use of high voltage, low RDS(ON) SiC Transistors and Rectifiers will reduce the size and weight of electronics applications requiring higher power handling at elevated temperatures.Learn More
Parte # Mfg. Descripción Valores Precio
GB02SHT01-46
DISTI # 1242-1254-ND		GeneSic Semiconductor IncDIODE SCHOTTKY 100V 4A
RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Bulk		19In Stock
  • 100:$37.0719
  • 10:$42.7560
  • 1:$45.7200
GB02SHT01-46
DISTI # 905-GB02SHT01-46		GeneSic Semiconductor IncSchottky Diodes & Rectifiers SiC Schottky Diode
RoHS: Compliant		30
  • 1:$44.8300
  • 5:$43.5800
  • 10:$41.7800
  • 25:$38.7700
  • 50:$38.2800
  • 100:$36.3500
Imagen Parte # Descripción
INA190A3IRSWR

Mfr.#: INA190A3IRSWR

OMO.#: OMO-INA190A3IRSWR

 Current Sense Amplifiers LV CURRENT SENSE MONITOR VS 1.8V TO 5.5V
INA190A4IRSWR

Mfr.#: INA190A4IRSWR

OMO.#: OMO-INA190A4IRSWR

 Current Sense Amplifiers LV CURRENT SENSE MONITOR VS 1.8V TO 5.5V
BCP56-10HX

Mfr.#: BCP56-10HX

OMO.#: OMO-BCP56-10HX

 Bipolar Transistors - BJT 80 V, 1 A NPN md power transistors
RP73PF1E30K1BTDF

Mfr.#: RP73PF1E30K1BTDF

OMO.#: OMO-RP73PF1E30K1BTDF

 Thin Film Resistors - SMD HP PrecisionResistor 1E 0.1W 30K1
BCP56-10HX

Mfr.#: BCP56-10HX

OMO.#: OMO-BCP56-10HX-NEXPERIA

 TRANS NPN 80V 1A SC73
INA190A3IRSWR

Mfr.#: INA190A3IRSWR

OMO.#: OMO-INA190A3IRSWR-TEXAS-INSTRUMENTS

 Low Supply, Voltage Output, Low- or High-Side Measurement, Bidirectional,Zero-Drift Series, Current-
INA190A4IRSWR

Mfr.#: INA190A4IRSWR

OMO.#: OMO-INA190A4IRSWR-TEXAS-INSTRUMENTS

 Low Supply, Voltage Output, Low- or High-Side Measurement, Bidirectional,Zero-Drift Series, Current-
Disponibilidad
Valores:
60
En orden:
2043
Ingrese la cantidad:
El precio actual de GB02SHT01-46 es solo de referencia, si desea obtener el mejor precio, envíe una consulta o envíe un correo electrónico directo a nuestro equipo de ventas [email protected]
Precio de referencia (USD)
Cantidad
Precio unitario
Ext. Precio
1
44,83 US$
44,83 US$
5
43,58 US$
217,90 US$
10
41,78 US$
417,80 US$
25
38,77 US$
969,25 US$
50
38,28 US$
1 914,00 US$
100
36,35 US$
3 635,00 US$
250
33,93 US$
8 482,50 US$
Debido a la escasez de semiconductores a partir de 2021, el precio inferior es el precio normal antes de 2021. Envíe una consulta para confirmar.
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