IRF6609TRPBF

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Infineon

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

DirectFET-MT

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

20 V

Id - Corriente de drenaje continua:

31 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

2.6 mOhms

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

20 V

Qg - Carga de puerta:

46 nC

Pd - Disipación de energía:

89 W

Configuración:

Único

Embalaje:

Carrete

Altura:

0.7 mm

Longitud:

6.35 mm

Tipo de transistor:

1 N-Channel

Ancho:

5.05 mm

Marca:

Infineon / IR

Sensible a la humedad:

Yes

Tipo de producto:

MOSFET

Cantidad de paquete de fábrica:

4800

Subcategoría:

MOSFET

Parte # Alias:

SP001527932

Tags

IRF6609T, IRF6609, IRF660, IRF66, IRF6, IRF