SPB18P06P G

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Infineon

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

PG-TO-263-3

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

P-Channel

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

60 V

Id - Corriente de drenaje continua:

18.7 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

130 mOhms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

2.1 V

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

10 V

Qg - Carga de puerta:

- 21 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 175 C

Pd - Disipación de energía:

81.1 W

Configuración:

Único

Modo de canal:

Mejora

Nombre comercial:

SIPMOS

Embalaje:

Carrete

Altura:

4.4 mm

Longitud:

10 mm

Serie:

SPB18P06

Tipo de transistor:

1 P-Channel

Ancho:

9.25 mm

Marca:

Infineon Technologies

Transconductancia directa - Mín .:

5 S

Otoño:

11 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

5.8 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

1000

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

25 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

12 ns

Parte # Alias:

SP000102181 SPB18P06PGATMA1 SPB18P6PGXT

Unidad de peso:

0.139332 oz

Tags

SPB18P06PG, SPB18P, SPB18, SPB1, SPB