STB16NF06LT4

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

STMicroelectronics

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

D2PAK-3

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

60 V

Id - Corriente de drenaje continua:

16 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

90 mOhms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

1 V

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

10 V

Qg - Carga de puerta:

7.3 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 175 C

Pd - Disipación de energía:

45 W

Configuración:

Único

Modo de canal:

Mejora

Nombre comercial:

STripFET

Embalaje:

Carrete

Altura:

4.6 mm

Longitud:

10.4 mm

Serie:

STB16NF06L

Tipo de transistor:

1 N-Channel Power MOSFET

Escribe:

MOSFET

Ancho:

9.35 mm

Marca:

STMicroelectronics

Transconductancia directa - Mín .:

17 S

Otoño:

12.5 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

37 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

1000

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

20 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

10 ns

Unidad de peso:

0.139332 oz

Tags

STB16NF06LT, STB16NF06L, STB16NF0, STB16NF, STB16N, STB16, STB1, STB