IPL65R165CFD

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Infineon

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

VSON-4

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

650 V

Id - Corriente de drenaje continua:

21.3 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

149 mOhms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

3.5 V

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

20 V

Qg - Carga de puerta:

86 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 40 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

195 W

Configuración:

Único

Modo de canal:

Mejora

Nombre comercial:

CoolMOS

Embalaje:

Carrete

Serie:

CoolMOS CFD2

Tipo de transistor:

1 N-Channel

Marca:

Infineon Technologies

Otoño:

5.6 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

7.6 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

3000

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

52.8 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

12.4 ns

Parte # Alias:

IPL65R165CFDAUMA1 SP000949254

Tags

IPL65R16, IPL65R1, IPL65R, IPL65, IPL6, IPL