NP100P04PDG-E1-AY

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Electrónica Renesas

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

TO-263-3

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

P-Channel

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

40 V

Id - Corriente de drenaje continua:

100 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

3.5 mOhms

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

20 V

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 175 C

Pd - Disipación de energía:

1800 mW

Configuración:

Único

Modo de canal:

Mejora

Embalaje:

Tubo

Altura:

4.45 mm

Longitud:

10 mm

Tipo de transistor:

1 P-Channel

Ancho:

9.15 mm

Marca:

Electrónica Renesas

Otoño:

100 ns

Sensible a la humedad:

Yes

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

30 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

800

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

300 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

38 ns

Unidad de peso:

0.077603 oz

Tags

NP100P04P, NP100P04, NP100P, NP100, NP10, NP1