VEC2616-TL-W

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

EN Semiconductor

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

VEC-8

Número de canales:

2 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N, canal P

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

60 V

Id - Corriente de drenaje continua:

3 A, 2.5 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

116 mOhms, 194 mOhms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

1.2 V, 2.6 V

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

20 V

Qg - Carga de puerta:

10 nC, 11 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

900 mW

Configuración:

Doble

Modo de canal:

Mejora

Embalaje:

Carrete

Serie:

VEC2616

Tipo de transistor:

1 N-Channel, 1 P-Channel

Marca:

EN Semiconductor

Transconductancia directa - Mín .:

2.6 S, 3.9 S

Otoño:

22 ns, 36 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

7.5 ns, 9.8 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

3000

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

41 ns, 65 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

7.3 ns, 6.4 ns

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