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DMN10H220L-7

DMN10H220L-7
Mfr. #:
DMN10H220L-7
Fabricante:
Diodes Incorporated
Descripción:
Darlington Transistors MOSFET 100V N-Ch Enh FET 16Vgs 1.6A 1.3W
Ciclo vital:
Nuevo de este fabricante.
Ficha de datos:
DMN10H220L-7 Ficha de datos
Entrega:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Pago:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
Atributo del producto
Valor de atributo
Fabricante
Diodos incorporados
categoria de producto
FET - Single
Serie
DMN10
embalaje
Embalaje alternativo de Digi-ReelR
Estilo de montaje
SMD / SMT
Paquete-Estuche
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Tecnología
Si
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Montaje superficial
Número de canales
1 Channel
Paquete de dispositivo de proveedor
SOT-23
Configuración
Único
Tipo FET
Canal N MOSFET, óxido metálico
Potencia máxima
1.3W
Tipo transistor
1 N-Channel
Drenaje-a-fuente-voltaje-Vdss
100V
Entrada-Capacitancia-Ciss-Vds
401pF @ 25V
Función FET
Estándar
Corriente-Continuo-Drenaje-Id-25 ° C
1.4A (Ta)
Rds-On-Max-Id-Vgs
220 mOhm @ 1.6A, 10V
Vgs-th-Max-Id
2.5V @ 250μA
Puerta-Carga-Qg-Vgs
8.3nC @ 10V
Disipación de potencia Pd
1.3 W
Temperatura máxima de funcionamiento
+ 150 C
Temperatura mínima de funcionamiento
- 55 C
Otoño
3.6 ns
Hora de levantarse
8.2 ns
Vgs-Puerta-Fuente-Voltaje
+/- 16 V
Id-corriente-de-drenaje-continua
1.6 A
Vds-Drain-Source-Breakdown-Voltage
100 V
Vgs-th-Gate-Source-Threshold-Voltage
2.5 V
Resistencia a la fuente de desagüe de Rds
220 mOhms
Polaridad del transistor
Canal N
Tiempo de retardo de apagado típico
7.9 ns
Tiempo de retardo de encendido típico
6.8 ns
Qg-Gate-Charge
8.3 nC
Transconductancia directa-Mín.
-
Modo de canal
Mejora
Tags
DMN10H2, DMN10H, DMN10, DMN1, DMN
Service Guarantees

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Quality Guarantees

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Email: [email protected]

Step1: Vacuum Packaging with PL
Step1:
Vacuum Packaging with PL
Step2: Anti-Static Bag
Step2:
Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
***et Japan
Transistor MOSFET N-CH 100V 1.6A 3-Pin SOT-23 T/R
***ure Electronics
DMN10H220L Series 100 V 250 mOhm N-Channel Enhancement Mode Mosfet - SOT-23
***ark
Mosfet Bvdss: 61V~100V Sot23 T&r 3K Rohs Compliant: Yes
Parte # Mfg. Descripción Valores Precio
DMN10H220L-7
DISTI # DMN10H220L-7DICT-ND		Diodes IncorporatedMOSFET N-CH 100V 1.6A SOT-23
RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Cut Tape (CT)		95100In Stock
  • 1000:$0.1745
  • 500:$0.2258
  • 100:$0.3080
  • 10:$0.4110
  • 1:$0.4900
DMN10H220L-7
DISTI # DMN10H220L-7DIDKR-ND		Diodes IncorporatedMOSFET N-CH 100V 1.6A SOT-23
RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Digi-Reel®		95100In Stock
  • 1000:$0.1745
  • 500:$0.2258
  • 100:$0.3080
  • 10:$0.4110
  • 1:$0.4900
DMN10H220L-7
DISTI # DMN10H220L-7DITR-ND		Diodes IncorporatedMOSFET N-CH 100V 1.6A SOT-23
RoHS: Compliant
Min Qty: 3000
Container: Tape & Reel (TR)		93000In Stock
  • 3000:$0.1545
DMN10H220L-7
DISTI # DMN10H220L-7		Diodes IncorporatedTrans MOSFET N-CH 100V 1.6A 3-Pin SOT-23 T/R - Tape and Reel (Alt: DMN10H220L-7)
RoHS: Not Compliant
Min Qty: 3000
Container: Reel		Americas - 0
  • 3000:$0.0859
  • 6000:$0.0819
  • 12000:$0.0779
  • 18000:$0.0739
  • 30000:$0.0729
DMN10H220L-7
DISTI # 621-DMN10H220L-7		Diodes IncorporatedMOSFET 100V N-Ch Enh FET 16Vgs 1.6A 1.3W
RoHS: Compliant		357716
  • 1:$0.4000
  • 10:$0.3280
  • 100:$0.2000
  • 1000:$0.1550
  • 3000:$0.1320
DMN10H220L-13
DISTI # 621-DMN10H220L-13		Diodes IncorporatedMOSFET 100V N-Ch Enh FET 16Vgs 1.6A 1.3W
RoHS: Compliant		0
  • 10000:$0.1320
DMN10H220L-7
DISTI # 9211048		Zetex / Diodes Inc100V 1.6A N-CH MOSFET TRANS SOT-23, PK1560
  • 30:£0.2460
  • 150:£0.1670
  • 450:£0.1580
  • 900:£0.1480
  • 3000:£0.1240
DMN10H220L-7
DISTI # 9211048P		Zetex / Diodes Inc100V 1.6A N-CH MOSFET TRANS SOT-23, RL2070
  • 150:£0.1670
  • 450:£0.1580
  • 900:£0.1480
  • 3000:£0.1240
Imagen Parte # Descripción
DMN10H120SFG-13

Mfr.#: DMN10H120SFG-13

OMO.#: OMO-DMN10H120SFG-13

 MOSFET FET BVDSS 61V 100V N-Ch 4.8A 3Vgs 549pF
DMN10H170SFDE-7

Mfr.#: DMN10H170SFDE-7

OMO.#: OMO-DMN10H170SFDE-7

 MOSFET 100V N-Ch Enh FET 20Vgss 2.9A 0.66W
DMN10H120SE-13

Mfr.#: DMN10H120SE-13

OMO.#: OMO-DMN10H120SE-13

 MOSFET 100V N-Ch Enh FET 20Vgss 549pF 10nC
DMN10H220LVT-7

Mfr.#: DMN10H220LVT-7

OMO.#: OMO-DMN10H220LVT-7

 MOSFET 100V N-Ch Enh FET 220mOhm 16Vgs
DMN10H099SFG

Mfr.#: DMN10H099SFG

OMO.#: OMO-DMN10H099SFG-1190

 Nuevo y original
DMN10H120SE

Mfr.#: DMN10H120SE

OMO.#: OMO-DMN10H120SE-1190

 Nuevo y original
DMN10H120SE-13

Mfr.#: DMN10H120SE-13

OMO.#: OMO-DMN10H120SE-13-DIODES

 Darlington Transistors MOSFET 100V N-Ch Enh FET 20Vgss 549pF 10nC
DMN10H220L-7

Mfr.#: DMN10H220L-7

OMO.#: OMO-DMN10H220L-7-DIODES

 Darlington Transistors MOSFET 100V N-Ch Enh FET 16Vgs 1.6A 1.3W
DMN10H099SFG-13

Mfr.#: DMN10H099SFG-13

OMO.#: OMO-DMN10H099SFG-13-DIODES

 MOSFET 100V N-Ch Enh Mode 1127pF 25.2nC
DMN10H170SVT-7

Mfr.#: DMN10H170SVT-7

OMO.#: OMO-DMN10H170SVT-7-DIODES

 MOSFET 100V N-Ch Enh FET 20Vgss 2.6A 1.2W
Disponibilidad
Valores:
Available
En orden:
5000
Ingrese la cantidad:
El precio actual de DMN10H220L-7 es solo de referencia, si desea obtener el mejor precio, envíe una consulta o envíe un correo electrónico directo a nuestro equipo de ventas [email protected]
Precio de referencia (USD)
Cantidad
Precio unitario
Ext. Precio
1
0,11 US$
0,11 US$
10
0,10 US$
1,04 US$
100
0,10 US$
9,84 US$
500
0,09 US$
46,45 US$
1000
0,09 US$
87,50 US$
Debido a la escasez de semiconductores a partir de 2021, el precio inferior es el precio normal antes de 2021. Envíe una consulta para confirmar.
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